[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光器件、發(fā)光器件包裝和光設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380030103.6
• 申請(qǐng)日: 2013-05-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104350614B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁煥熙
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/36
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/36;H01L33/46;H01L33/48;G02F1/13357
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11219
• 代理人: 陳海濤,穆德駿

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)施方案涉及一種發(fā)光器件、發(fā)光器件包裝和光設(shè)備。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)已經(jīng)被廣泛用作發(fā)光器件中的一種。所述LED通過(guò)使用復(fù)合半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)化成光的形式如近紅外光、超紫外光和可見(jiàn)光。

隨著發(fā)光器件光效率的提高，已經(jīng)將LED用于各種領(lǐng)域如顯示裝置和照明電器中。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問(wèn)題

本實(shí)施方案提供一種能夠提高光提取效率的發(fā)光器件、發(fā)光器件包裝和光設(shè)備。

技術(shù)方案

根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包含第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層和在所述有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第一電極，所述第一電極布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下并電連接到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；反射層，所述反射層布置在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層內(nèi)并與所述第一電極和所述有源層隔開(kāi)；和第二電極，所述第二電極電連接到所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層。

根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件包裝包括：主體；在所述主體上的發(fā)光器件；以及電連接到所述發(fā)光器件的第一引線(xiàn)電極和第二引線(xiàn)電極，其中所述發(fā)光器件包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包含第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層和在所述有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第一電極，所述第一電極布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下并電連接到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；反射層，所述反射層布置在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層內(nèi)并與所述第一電極和所述有源層隔開(kāi)；和第二電極，所述第二電極電連接到所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層。

根據(jù)本發(fā)明的光設(shè)備包括：基板；在所述基板上的發(fā)光器件；和光學(xué)構(gòu)件，所述光學(xué)構(gòu)件充當(dāng)發(fā)射自所述發(fā)光器件的光的光學(xué)通道，其中所述發(fā)光器件包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包含第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層和在所述有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第一電極，所述第一電極布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下并電連接到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；反射層，所述反射層布置在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層內(nèi)并與所述第一電極和所述有源層隔開(kāi)；和第二電極，所述第二電極電連接到所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層。

有益效果

根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件包裝和光設(shè)備能夠提高光提取效率。

附圖說(shuō)明

圖1是顯示根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件的視圖。

圖2～6是顯示用于制造根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件的方法的視圖。

圖7是顯示根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件包裝的視圖。

圖8是顯示根據(jù)本實(shí)施方案的顯示裝置的視圖。

圖9是顯示根據(jù)本實(shí)施方案的顯示裝置的另一個(gè)實(shí)例的視圖。

圖10～12是顯示根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光裝置的視圖。

圖13和14是顯示根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光裝置的另一個(gè)實(shí)例的視圖。

具體實(shí)施方式

在本實(shí)施方案的說(shuō)明書(shū)中，應(yīng)理解，當(dāng)指層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)在另一個(gè)基板、另一個(gè)層(或膜)、另一個(gè)區(qū)域、另一個(gè)墊或另一個(gè)圖案“上”或“下”時(shí)，其能夠“直接”或“間接”地在其他基材、層(或膜)、區(qū)域、墊或圖案上方，或還可存在一個(gè)或多個(gè)插入層。已經(jīng)參考附圖對(duì)所述層的這種位置進(jìn)行了描述。

為了方便或清晰，示于附圖中的各個(gè)層的厚度和尺寸可以放大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸不完全反應(yīng)實(shí)際尺寸。

下文中，將參考附圖對(duì)根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件包裝、光設(shè)備和用于制造所述發(fā)光器件的方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

圖1是顯示根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件的視圖。

如圖1中所示，根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)10、反射層17、第一電極50和第二電極80。

發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。所述有源層12可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間。有源層12可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11之下，且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以設(shè)置在有源層12之下。

例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包含摻雜有充當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電摻雜劑的N型摻雜劑的N型半導(dǎo)體層，且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包含摻雜有充當(dāng)?shù)诙?dǎo)電摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包含P型半導(dǎo)體層，且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包含N型半導(dǎo)體層。

例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包含N型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過(guò)使用復(fù)合半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過(guò)使用II～VI族復(fù)合半導(dǎo)體、或III～V族復(fù)合半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)。