[發明專利]發光器件、發光器件包裝和光設備

有效

• 申請號: 201380030103.6
• 申請日: 2013-05-24
• 公開（公告）號: CN104350614B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/46;H01L33/48;G02F1/13357
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 陳海濤,穆德駿

1.一種發光器件，所述發光器件包含：

發光結構，所述發光結構包含第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層下的有源層和在所述有源層下的第二導電半導體層；

第一電極，所述第一電極布置在所述發光結構下并電連接到所述第二導電半導體層；

反射層，所述反射層布置在所述第二導電半導體層內并與所述第一電極和所述有源層隔開；

第二電極，所述第二電極電連接到所述第一導電半導體層；和

設置在所述反射層之上或之下的擴散阻擋層，

其中所述第一電極具有與所述第二導電半導體層的底面接觸的第一區域和從所述第一區域向外延伸的第二區域，

其中所述第一導電半導體層包含N型半導體層，所述第二導電半導體層包含P型半導體層，

其中所述反射層在所述有源層和所述第一電極之間，以及

其中所述第一電極的一部分設置在歐姆接觸層之下。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述反射層包含導電離子植入層。

3.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中所述反射層的厚度在10nm～100nm的范圍內。

4.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中所述反射層與所述有源層的距離比所述反射層與所述第一電極的距離近。

5.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中所述反射層設置在距離所述有源層的底面100nm內的位置處。

6.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中所述反射層包含如下物質中的至少一種物質：Ag、Al、Pt和Rh。

7.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中所述第二導電半導體層包含在所述反射層上的第二導電第一半導體層和在所述反射層下的第二導電第二半導體層。

8.根據權利要求1或2所述的發光器件，還包含在所述第一電極與所述第二導電半導體層之間的歐姆接觸層。

9.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中所述第一電極的所述第二區域暴露于所述發光結構的下外圍部。

10.根據權利要求1或2所述的發光器件，還包含在所述第一電極下的結合層和支持構件，其中所述第一電極充當擴散阻擋層。

11.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述第二導電第一半導體層與所述反射層的頂面接觸。

12.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述第二導電第二半導體層設置在所述反射層下。

13.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述第二導電第二半導體層與所述反射層的底面接觸。

14.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述第二導電第一半導體層的厚度比所述第二導電第二半導體層的厚度薄。

15.一種發光器件包裝，所述發光器件包裝包含：

主體；

在所述主體上的發光器件；以及

電連接到所述發光器件的第一引線電極和第二引線電極，

其中所述發光器件包含：

發光結構，所述發光結構包含第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層下的有源層和在所述有源層下的第二導電半導體層；

第一電極，所述第一電極布置在所述發光結構下并電連接到所述第二導電半導體層；

反射層，所述反射層布置在所述第二導電半導體層內并與所述第一電極和所述有源層隔開；

第二電極，所述第二電極電連接到所述第一導電半導體層；和

設置在所述反射層之上或之下的擴散阻擋層，

其中所述第一電極具有與所述第二導電半導體層的底面接觸的第一區域和從所述第一區域向外延伸的第二區域，

其中所述第一導電半導體層包含N型半導體層，所述第二導電半導體層包含P型半導體層，

其中所述反射層在所述有源層和所述第一電極之間，以及

其中所述第一電極的一部分設置在歐姆接觸層之下。

16.根據權利要求15所述的發光器件包裝，其中所述反射層包含導電離子植入層。

17.根據權利要求15或16所述的發光器件包裝，其中所述反射層的厚度在10nm～100nm的范圍內。