[發明專利]垂直磁記錄介質

有效

• 申請號: 201380029987.3
• 申請日: 2013-12-06
• 公開（公告）號: CN104364846B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 內田真治;片岡弘康;菊池洋人;古田旭;島津武仁
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: G11B5/66
• 分類號: G11B5/66;G11B5/64;G11B5/65
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 宋俊寅

1.一種至少包含非磁性基板及磁記錄層的垂直磁記錄介質，其特征在于，

所述磁記錄層由至少包含第1磁記錄層及第2磁記錄層在內的多層構成，以第1磁記錄層、第2磁記錄層的順序來形成第1磁記錄層及第2磁記錄層，

所述第1磁記錄層具有粒狀結構，該粒狀結構包含第1磁性晶粒、以及包圍所述第1磁性晶粒的第1非磁性晶界，所述第1磁性晶粒包含有序合金，所述第1非磁性晶界由碳構成，

所述第2磁記錄層具有粒狀結構，該粒狀結構包含第2磁性晶粒、以及包圍所述第2磁性晶粒的第2非磁性晶界，所述第2磁性晶粒包含有序合金，所述第2非磁性晶界由從碳、硼或硅中選出的兩種以上的材料構成、或者由硼構成，

所述第1磁記錄層的膜厚為2至4nm，

所述磁記錄層的總膜厚為6至16nm，

所述有序合金包含Fe及Pt。

2.一種至少包含非磁性基板及磁記錄層的垂直磁記錄介質，其特征在于，

所述磁記錄層由至少包含第1磁記錄層及第2磁記錄層在內的多層構成，以第1磁記錄層、第2磁記錄層的順序來形成第1磁記錄層及第2磁記錄層，

所述第1磁記錄層具有粒狀結構，該粒狀結構包含第1磁性晶粒、以及包圍所述第1磁性晶粒的第1非磁性晶界，所述第1磁性晶粒包含有序合金，所述第1非磁性晶界由碳構成，

所述第2磁記錄層具有粒狀結構，該粒狀結構包含第2磁性晶粒、以及包圍所述第2磁性晶粒的第2非磁性晶界，所述第2磁性晶粒包含有序合金，所述第2非磁性晶界由碳化物構成，

所述第1磁記錄層的膜厚為2至4nm，

所述磁記錄層的總膜厚為6至16nm，

所述有序合金包含Fe及Pt。

3.如權利要求2所述的垂直磁記錄介質，其特征在于，

所述碳化物是硼(B)碳化物或硅(Si)碳化物。

4.如權利要求2或3所述的垂直磁記錄介質，其特征在于，

所述碳化物是碳化硼(B₄C)或碳化硅(SiC)。

5.如權利要求1或2所述的垂直磁記錄介質，其特征在于，

所述第2非磁性晶界的材料含有量為20vol％至50vol％。

6.如權利要求1或2所述的垂直磁記錄介質，其特征在于，

所述第1磁性晶粒及所述第2磁性晶粒包含L1₀型的有序合金。

7.如權利要求1或2所述的垂直磁記錄介質，其特征在于，

具有多層所述第1磁記錄層或所述第2磁記錄層，且所述第1磁記錄層與所述第2磁記錄層交替層疊。