[發明專利]克服分劃板區域限制的大型硅中介板

有效

• 申請號: 201380029354.2
• 申請日: 2013-07-17
• 公開（公告）號: CN104350595B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 宋浩宇;曹瑋;牛瑞;安瓦爾·穆罕默德
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所11309
• 代理人: 陳霽

1.一種多晶片集成電路組件，其特征在于，包括：

一個具有多個連接的基板；

一個設置在所述基板上方的硅中介板，所述硅中介板具有第一部分和第二部分，所述第一部分包括多個與所述基板的所述多個連接電接觸的硅穿孔，所述第二部分鄰近所述第一部分并且不具有硅穿孔；

所述第一部分設置在所述硅中介板中間，所述第二部分設置在所述第一部分的周邊；

多個集成電路晶片設置在所述硅中介板上方并且橫向彼此相鄰，每個晶片與所述多個硅穿孔中的一個或多個電接觸，其中所述多個硅穿孔用于充當所述晶片和所述基板之間的互相連接；

所述硅中介板的所述第一部分進一步包括：多個與多個晶片中的一個或多個電接觸的互連導體，以及所述第二部分沒有互連導體；

其中所述多個晶片中的一個晶片的至少一部分設置在上方并由所述硅中介板的所述第二部分支撐。

2.根據權利要求1所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，進一步包括：

多個設置在所述硅中介板的所述第二部分和由所述硅中介板的所述第二部分支撐的所述多個晶片中的一個晶片的部分之間的第一支撐構件。

3.根據權利要求1所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，所述多個晶片中的至少一個晶片包括2D集成電路晶片。

4.根據權利要求1所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，至少一個所述多個晶片包括3D集成電路晶片。

5.根據權利要求1所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，所述多個晶片中的每個晶片覆蓋所述硅中介板的所述第一部分以及覆蓋所述硅中介板的所述第二部分。

6.根據權利要求1所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，所述多個晶片中的每個晶片使其各自的電源/地和I/O信號線路集中在所述晶片的第一區域內，所述第一區域大大小于所述晶片的總區域，其中，所述第一區域為所述第一部分與所述每個晶片區域重疊的部分。

7.一種多晶片集成電路組件，其特征在于，包括：

一個具有多個互連導體的基板；

一個設置在所述基板上方的硅中介板，所述硅中介板具有位于中間的第一部分和鄰近所述第一部分的第二部分，所述第一部分包括多個硅穿孔和多個互連導體，以及所述第二部分沒有硅穿孔和互連導體；

第一多個連接，其電耦接所述基板的互連導體和所述多個硅穿孔；

多個設置在所述硅中介板上方并且橫向彼此相鄰的集成電路晶片，每個晶片與所述多個硅穿孔中的一個或多個電接觸，其中所述硅穿孔用于充當所述晶片和所述基板之間的互相連接；

第二多個連接，其電耦接所述多個硅穿孔中的每個硅穿孔與所述多個芯片中的每個芯片；以及

所述多個芯片中的一個芯片的至少一部分延伸越過所述硅中介板的第一部分的外圍。

8.根據權利要求7所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，進一步包括：

設置在所述硅中介板上方的所述第二部分以及用于支持所述多個延伸越過所述硅中介板的所述第一部分的晶片中的一個晶片的一部分的支撐構件。

9.根據權利要求8所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，進一步包括：

設置在所述基板上方以及用于支撐所述硅中介板的所述第二部分的第二支撐構件。

10.根據權利要求7所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，進一步包括：

第三多個連接，所述第三多個連接包括第一連接和第二連接，分別用于將所述硅中介板中的多個互連導體中的一個電耦接到第一晶片和第二晶片。

11.根據權利要求7所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，所述硅中介板包括硅基板。

12.根據權利要求7所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，所述多個晶片中的每個晶片覆蓋所述硅中介板的所述第一部分以及覆蓋所述硅中介板的所述第二部分。

13.根據權利要求7所述的多晶片集成電路組件，其特征在于，所述多個晶片中的每個晶片使其各自的電源/地和I/O信號線路集中在所述晶片的第一區域內，所述第一區域大大小于所述晶片的總區域，其中，所述第一區域為所述第一部分與所述每個晶片區域重疊的部分。