[發(fā)明專(zhuān)利]用于沉積涂層的方法和涂層切削工具無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380028292.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104379796A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-02-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 喬恩·安德森;馬茨·約翰松;雅各布·舍倫 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 山高刀具公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/02 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/32;C23C14/35;C23C30/00;C23C14/34;C23C28/04;C23C28/00 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 張爽;郭國(guó)清 |
| 地址: | 瑞典法*** | 國(guó)省代碼: | 瑞典;SE |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 沉積 涂層 方法 切削 工具 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于切屑形成(chip?forming)金屬加工的切削工具,其至少一部分上借助于高度電離物理氣相沉積,優(yōu)選陰極電弧蒸發(fā)沉積有層。
背景技術(shù)
現(xiàn)代切屑形成金屬加工的生產(chǎn)率提高需要具有高可靠性和優(yōu)異耐磨性的工具。自從20世紀(jì)60年代末期以來(lái),已知可以通過(guò)向工具表面施加合適的涂層來(lái)顯著改進(jìn)工具壽命。化學(xué)氣相沉積(CVD)是用于切削工具的第一種沉積技術(shù)并且這種方法仍通常用于沉積TiN、Ti(C,N)和Al2O3。物理氣相沉積(PVD)是在20世紀(jì)80年代引入的,并且從那時(shí)起已經(jīng)從穩(wěn)定的金屬化合物例如TiN或Ti(C,N)的沉積,發(fā)展到包括通過(guò)諸如濺射或陰極電弧蒸發(fā)的方法沉積多組分、亞穩(wěn)態(tài)化合物例如(Ti,Al)N、(Ti,Si)N、(Al,Cr)N或(Al,Cr)2O3。如本領(lǐng)域中所公知的,基底偏置電位是必須適于特定涂層組成和應(yīng)用的一種重要的工藝參數(shù)。另外,US?2007218242和EP?2298954描述基底偏置電位的變化以進(jìn)一步改進(jìn)性能。盡管通過(guò)所提及的發(fā)現(xiàn)已極大地改進(jìn)工具性能,但發(fā)明人已經(jīng)注意到需要用于進(jìn)一步改進(jìn)切削工具的耐磨性的方法。
發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供涂層切削工具,其提供提高的耐磨性。
讓我們驚訝的是,我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn),通過(guò)在總層沉積時(shí)間的至少5%期間使用非常高的(負(fù))基底偏置電位,借助于高度電離物理氣相沉積技術(shù),優(yōu)選陰極電弧蒸發(fā),在工具刀體(tool?body)上沉積層來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的。
根據(jù)第一方面,本發(fā)明提供用于在硬質(zhì)合金(hard?alloy)的工具刀體上沉積硬質(zhì)耐磨涂層的方法,所述硬質(zhì)合金例如是燒結(jié)碳化物(cemented?carbide)、金屬陶瓷、陶瓷、立方氮化硼基材料或高速鋼的硬質(zhì)合金,其中所述涂層包含層,和所述方法包括使用包含元素Me的元素復(fù)合材料和/或合金化源材料,通過(guò)高度電離物理氣相沉積來(lái)沉積所述層,其中Me為T(mén)i、V、Cr、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、B、Al和Si中的一種或多種,優(yōu)選Ti、V、Cr、Y、Zr、Nb、Al和Si中的一種或多種,最優(yōu)選Ti、Cr、Al和Si中的一種或多種,和另外所述源材料可含有痕量雜質(zhì),使用包含元素C、N、O和S中的一種或多種,優(yōu)選C、N和O中的一種或多種,最優(yōu)選N2和O2中的一種或多種的工藝氣體,和另外所述工藝氣體可含有惰性氣體、氫氣和痕量雜質(zhì),和在總層沉積時(shí)間D總的至少一個(gè)部分Dhi期間,其中i=1、2、3……,施加第一基底偏置電位Ub1,其中-900V<Ub1<-300V,其中Dhi>0.05D總,優(yōu)選Dhi>0.1D總,由此在所述至少一個(gè)部分期間形成一個(gè)第一子層。所述方法還包括在總沉積時(shí)間D總的至少一個(gè)部分Dli期間,其中i=1、2、3……,施加第二基底偏置電位Ub2,其中-150V<Ub2<0V,其中Dli>0.05D總,優(yōu)選Dli>0.1D總,所述部分Dli處于部分Dhi之前、之后和/或之間。
由此實(shí)現(xiàn)具有提高的耐磨性的涂層切削工具。第一基底偏置電位Ub1可在每一部分Dhi內(nèi)變化,但在每一部分Dhi期間總是在-300V與-900V之間。第二偏置電位Ub2可在每一部分Dli內(nèi)變化,但在每一部分Dli期間總是在0與-150V之間。由此形成的層含有至少一個(gè)第一子層,每一第一子層是在部分Dhi期間沉積的,和除所述至少一個(gè)第一子層之外的至少一個(gè)第二子層,每一第二子層是在部分Dli期間沉積的。
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C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
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C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
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