[發(fā)明專利]低功率相變存儲(chǔ)器單元有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380027699.4 | 申請(qǐng)日： | 2013-06-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104335350B | 公開（公告）日： | 2019-11-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | E.V.卡波夫;張國(guó)維;G.斯帕迪尼 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 72001 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 楊美靈;湯春龍<國(guó)際申請(qǐng)>=PCT/US |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率 相變 存儲(chǔ)器 單元 | ||
1.一種存儲(chǔ)器，包括：
兩個(gè)電極；以及
具有非晶重置狀態(tài)和部分結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)的相變材料，所述相變材料耦合在所述兩個(gè)電極之間；
其中所述設(shè)置狀態(tài)中的所述相變材料在亞閾值電壓區(qū)域中具有高度非線性電流-電壓響應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中所述相變材料包括銦、鍺和碲。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中所述相變材料包括銦、銻和碲。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中如果在所述兩個(gè)電極之間的所述電壓低于1.5 V，則所述設(shè)置狀態(tài)中的所述相變材料具有超過(guò)200的電阻。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中如果在所述兩個(gè)電極之間的所述電壓低于1.5 V，則低于1 的電流流過(guò)所述設(shè)置狀態(tài)中的所述相變材料。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中如果跨所述兩個(gè)電極的電壓增大到閾值電壓，則所述設(shè)置狀態(tài)中的所述相變材料的電阻降低超過(guò)一個(gè)數(shù)量級(jí)。
7.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中在低于100 ns內(nèi)通過(guò)所述相變材料的低于200 的電流的脈沖將所述相變材料從所述設(shè)置狀態(tài)更改到所述重置狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中所述亞閾值電壓區(qū)域包括在0 V與2 V之間的電壓電平。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，還包括耦合在控制線與所述兩個(gè)電極之一之間的接入裝置。
10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其中所述接入裝置是雙向閾值開關(guān)或半導(dǎo)體二極管。
11.一種系統(tǒng)，包括：
生成存儲(chǔ)器控制命令的處理器；以及
耦合到所述處理器，以響應(yīng)所述存儲(chǔ)器控制命令的至少一個(gè)存儲(chǔ)器，所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器包括：
兩個(gè)電極；以及
具有非晶重置狀態(tài)和部分結(jié)晶設(shè)置狀態(tài)的相變材料，所述相變材料耦合在所述兩個(gè)電極之間；
其中所述設(shè)置狀態(tài)中的所述相變材料在亞閾值電壓區(qū)域中具有高度非線性電流-電壓響應(yīng)。
12.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述相變材料包括銦、銻和碲。
13.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中如果在所述兩個(gè)電極之間的所述電壓為低于1.5V，則所述設(shè)置狀態(tài)中的所述相變材料具有超過(guò)200 的電阻。
14.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中如果跨所述兩個(gè)電極的電壓增大到閾值電壓，則所述設(shè)置狀態(tài)中的所述相變材料的電阻降低超過(guò)一個(gè)數(shù)量級(jí)。
15.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中在低于100 ns內(nèi)通過(guò)所述相變材料的低于200 的電流的脈沖將所述相變材料從所述設(shè)置狀態(tài)更改到所述重置狀態(tài)。
16.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述亞閾值電壓區(qū)域包括在0 V與2 V之間的電壓電平。
17.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器還包括耦合在控制線與所述兩個(gè)電極之一之間的接入裝置。
18.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述接入裝置是雙向閾值開關(guān)或半導(dǎo)體二極管。
19.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，還包括：
耦合到所述處理器，以便與外部裝置進(jìn)行通信的I/O電路。
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