[發(fā)明專利]具有光束形狀修改的激光器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380024259.3 | 申請日： | 2013-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN104380545B | 公開（公告）日： | 2017-09-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 克里斯蒂安·斯塔加雷斯庫;亞歷克斯·A·貝法爾;諾曼·塞-強(qiáng)·廣 | 申請（專利權(quán)）人： | 鎂可微波技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/00 | 分類號： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡勝有,彭鯤鵬 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 光束 形狀 修改 激光器 | ||
1.一種半導(dǎo)體芯片，其包含：
襯底；和
位于所述襯底上的外延激光器，所述外延激光器具有蝕刻腔面；
其中，所述襯底從所述蝕刻腔面向外延伸以形成天井，所述天井包含形成在其中的復(fù)數(shù)個(gè)臺階，各個(gè)連續(xù)的臺階從所述蝕刻腔面進(jìn)一步向外延伸到所述襯底中，使得從所述激光器發(fā)出的光被反射離開所述復(fù)數(shù)個(gè)臺階中的至少之一以修改所述激光器的垂直遠(yuǎn)場。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其進(jìn)一步包含至少一個(gè)反射側(cè)壁，所述反射側(cè)壁從所述蝕刻腔面向外延伸，各個(gè)側(cè)壁均具有基本垂直于所述天井的表面的反射表面。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其進(jìn)一步包含設(shè)置為相反于從所述蝕刻腔面向外延伸的所述天井的頂板，所述頂板具有相反于所述天井的所述表面的反射表面。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其進(jìn)一步包含沉積在所述天井上的反射涂層。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述襯底選自包含InP、GaAs和GaN的組。
6.一種半導(dǎo)體芯片，其包含：
襯底；
位于所述襯底上的外延激光器，所述外延激光器具有蝕刻腔面；
從所述蝕刻腔面向外延伸的天井，所述天井具有反射表面以及形成在其中的復(fù)數(shù)個(gè)臺階，各個(gè)連續(xù)的臺階從所述蝕刻腔面進(jìn)一步向外延伸到所述襯底中；以及
從所述蝕刻腔面向外延伸的頂板，所述頂板具有相反于所述天井的所述反射表面的反射表面；
其中從所述激光器發(fā)出的光被反射離開所述復(fù)數(shù)個(gè)臺階中的至少之一和所述頂板以修改所述激光器的垂直遠(yuǎn)場。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體芯片，其進(jìn)一步包含至少一個(gè)從所述蝕刻腔面向外延伸的反射側(cè)壁，各個(gè)側(cè)壁均具有基本垂直于所述天井的所述反射表面的反射表面。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述襯底選自包含InP、GaAs和GaN的組。
9.一種半導(dǎo)體芯片，其包含：
襯底；
位于所述襯底的表面上的外延激光器，所述外延激光器具有蝕刻腔面，所述蝕刻腔面具有與所述襯底的所述表面成非90°角度的表面；以及
鄰近所述蝕刻腔面的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有從所述蝕刻腔面向外延伸的至少兩個(gè)相對的反射表面。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述結(jié)構(gòu)還包括具有反射表面的傾斜天井。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述至少兩個(gè)相對的反射表面包含至少兩個(gè)反射側(cè)壁，各個(gè)側(cè)壁均具有基本垂直于所述天井的所述反射表面的反射表面。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體芯片，其中各個(gè)側(cè)壁通過間隙分離于所述蝕刻腔面。
13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述結(jié)構(gòu)還包括含有復(fù)數(shù)個(gè)具有反射表面的臺階的階梯，各個(gè)連續(xù)的臺階從所述蝕刻腔面進(jìn)一步向外延伸到所述襯底中。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述至少兩個(gè)相對的反射表面包含至少兩個(gè)反射側(cè)壁，各個(gè)側(cè)壁均具有基本垂直于所述臺階的所述反射表面的反射表面。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體芯片，其中各個(gè)側(cè)壁通過間隙分離于所述蝕刻腔面。
16.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片，其中所述襯底選自包含InP、GaAs和GaN的組。
17.一種混合動(dòng)力總成，其包含：
基座，其具有天井的反射表面，所述天井具有含復(fù)數(shù)個(gè)臺階的向下階梯，各個(gè)連續(xù)的臺階進(jìn)一步延伸到所述基座中；以及
激光器，其具有有源層和有源側(cè)朝下定位在所述基座上的至少一個(gè)腔面；
其中所述至少一個(gè)腔面被定位成鄰近所述反射表面使得從所述激光器發(fā)出的光被反射離開所述復(fù)數(shù)個(gè)臺階中的至少之一以修改所述激光器的垂直遠(yuǎn)場。
18.如權(quán)利要求17所述的混合動(dòng)力總成，其中所述基座為AlN或Si。
19.如權(quán)利要求17所述的混合動(dòng)力總成，其中所述至少一個(gè)腔面為蝕刻腔面，其進(jìn)一步包含鄰近所述蝕刻腔面的反射結(jié)構(gòu)。
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