[發(fā)明專利]改變電阻材料的電氣和熱性能的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380019218.5 | 申請(qǐng)日： | 2013-03-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104254893B | 公開（公告）日： | 2017-03-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | F·J·唐尼;N·克雷格;P·麥吉尼斯;P·艾勒伯特 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 美國(guó)亞德諾半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號(hào)： | H01C10/00 | 分類號(hào)： | H01C10/00 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所11038 | 代理人： | 申發(fā)振 |
| 地址： | 美國(guó)馬*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改變 電阻 材料 電氣 性能 方法 | ||
1.一種改變電阻器的電阻的方法，包括：
使用第一類型的微調(diào)方法微調(diào)電阻器，以增加電阻器的電阻測(cè)量超出目標(biāo)電阻值；和
使用第二類型的微調(diào)方法反復(fù)微調(diào)，直到電阻器的電阻(PCR)功率測(cè)定系數(shù)電阻實(shí)質(zhì)上接近于零。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：
測(cè)量所述電阻器的電阻；和
如果電阻測(cè)量小于所述目標(biāo)電阻值，采用第一類型的微調(diào)方法微調(diào)電阻器，直到電阻器的電阻值的測(cè)量大致接近目標(biāo)電阻值。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，第一種類型的微調(diào)方法是激光微調(diào)。
4.如權(quán)利要求2的方法，其中，所述第二類型的微調(diào)方法是電流微調(diào)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中每個(gè)電流微調(diào)的持續(xù)時(shí)間和振幅之一基于由參數(shù)集合表征的模型確定。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述參數(shù)包括PCR變化、修正電流的持續(xù)時(shí)間、微調(diào)電流的振幅和模具位置中的一個(gè)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法：
記錄每個(gè)電流微調(diào)的參數(shù)；和
基于所記錄的參數(shù)優(yōu)化模型。
8.一種改變電阻器的電阻的方法，包括：
使用第一類型的微調(diào)方法微調(diào)電阻器，以增加電阻器的電阻測(cè)量超出目標(biāo)電阻值；和
使用第二類型的微調(diào)方法反復(fù)微調(diào)電阻器，直到電阻器的電阻(TCR)測(cè)定的溫度系數(shù)實(shí)質(zhì)上接近于零。
9.如權(quán)利要求8所述的方法：
測(cè)量所述電阻器的電阻；和
如果電阻測(cè)量小于所述目標(biāo)電阻值，采用第一類型的微調(diào)方法微調(diào)電阻器，直到電阻的電阻值測(cè)量大致接近目標(biāo)電阻值。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中第一種類型的微調(diào)方法是激光微調(diào)。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第二類型的微調(diào)方法是電流微調(diào)。
12.用于改變電阻器的電阻的系統(tǒng)，包括：
第一微調(diào)模塊，微調(diào)電阻以增加電阻器的電阻測(cè)量為目標(biāo)電阻值；和
第二微調(diào)模塊，用于反復(fù)微調(diào)電阻器，直到該電阻的電阻值(PCR)測(cè)定的功率系數(shù)實(shí)質(zhì)上接近于零。
13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中，所述電阻器的電阻值在電阻器的迭代微調(diào)后進(jìn)行測(cè)量，如果測(cè)量電阻小于所述目標(biāo)電阻值，該電阻被第一微調(diào)模塊微調(diào)，直到電阻器的電阻測(cè)量實(shí)質(zhì)上接近目標(biāo)電阻值。
14.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述第一微調(diào)模塊采用激光微調(diào)。
15.如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述第二微調(diào)模塊使用電流微調(diào)。
16.用于改變電阻器的電阻的系統(tǒng)，包括：
第一微調(diào)模塊，微調(diào)電阻以增加電阻器的電阻測(cè)量為目標(biāo)電阻值；和
第二微調(diào)模塊，用于反復(fù)微調(diào)電阻器，直到該電阻的電阻值(TCR)的測(cè)定溫度系數(shù)實(shí)質(zhì)上接近于零。
17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，所述電阻器的電阻值在電阻器的迭代微調(diào)后進(jìn)行測(cè)量，如果測(cè)量電阻小于所述目標(biāo)電阻值，該電阻被第一微調(diào)模塊微調(diào)，直到電阻器的電阻測(cè)量實(shí)質(zhì)上接近目標(biāo)電阻值。
18.如權(quán)利要求17的系統(tǒng)，其中所述第一微調(diào)模塊使用激光微調(diào)。
19.如權(quán)利要求17的系統(tǒng)，其中所述第二微調(diào)模塊使用當(dāng)前微調(diào)。
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