[發(fā)明專利]使用嵌入式電介質(zhì)波導(dǎo)和金屬波導(dǎo)的芯片間通信有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380018528.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-04-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104220910B | 公開(公告)日: | 2017-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J·A·赫爾嵩末;R·F·佩恩;M·科爾斯;B·S·哈倫;H·阿里 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B6/12 | 分類號(hào): | G02B6/12;G02B6/10 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11245 | 代理人: | 趙蓉民 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 嵌入式 電介質(zhì) 波導(dǎo) 金屬 芯片 通信 | ||
1.一種用于使用嵌入式電介質(zhì)波導(dǎo)和金屬波導(dǎo)的芯片間通信的裝置,其包括:
電路板,其具有第一側(cè)、第二側(cè)、第一地平面和第一微帶線,其中所述第一微帶線大致與所述第一地平面平行;
槽,其形成在所述電路板的第一側(cè)中,其中所述第一地平面位于所述槽的至少一部分下面;
封裝基板,其固定到所述電路板的第一側(cè),其中所述封裝基板包括:
第二地平面,其電氣耦合到所述第一地平面;
第二微帶線,其基本上與所述第一和第二地平面平行,其中所述第二微帶線具有:
第一部分,其覆蓋所述第二地平面的至少一部分并且與所述第二地平面隔開第一距離,其中所述第二微帶線的第一部分的大小被設(shè)計(jì)為具有傳播具有一波長的輻射的阻抗;以及
第二部分,其覆蓋所述第一地平面的至少一部分并且與所述第一地平面隔開第二距離,其中所述第二距離大于所述第一距離,并且其中所述第二微帶線的第二部分的大小被設(shè)計(jì)為具有傳播具有所述波長的輻射的所述阻抗,并且其中所述微帶線的第二部分位于過渡區(qū)內(nèi),并且其中所述第二微帶線的第二部分電氣耦合到所述第一微帶線;
集成電路即IC,其固定到所述封裝基板并且電氣耦合到所述第二微帶線的第一部分;
金屬波導(dǎo),其固定在所述槽中,位于所述過渡區(qū)中,并且電氣耦合到所述第一微帶線;以及
電介質(zhì)芯體,其覆蓋所述第一地平面的至少一部分,延伸到所述金屬波導(dǎo)中,并且固定在所述槽中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述波長小于或等于約1mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中所述裝置進(jìn)一步包括包層,并且其中所述芯體具有第一介電常數(shù),并且其中所述包層具有第二介電常數(shù),并且其中所述第一介電常數(shù)大于所述第二介電常數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其中所述封裝基板具有第一側(cè)和第二側(cè),并且其中所述第二微帶線形成在所述封裝基板的第一側(cè)上,并且其中所述IC固定到所述封裝基板的第一側(cè),并且其中所述第一地平面形成在所述封裝基板的第二側(cè)上,并且其中所述封裝基板進(jìn)一步包括通孔,所述通孔從所述第二微帶線的第二部分延伸到所述封裝基板的第二側(cè),并且其中至少一個(gè)焊球固定到所述通孔和所述第一微帶線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置,其中所述通孔進(jìn)一步包括第一通孔,并且其中所述電路板進(jìn)一步包括第二通孔,所述第二通孔從所述第一地平面延伸到所述電路板的第一側(cè),并且其中至少一個(gè)焊球固定到所述第二地平面和所述第二通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置,其中所述阻抗大約是50Ω。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其中所述金屬波導(dǎo)進(jìn)一步包括:
第一極板,其與所述第一微帶線共面并且電氣耦合到所述第一微帶線;
第二極板,其與所述第一極板共面并且電氣耦合到所述第一極板,以及
多個(gè)波導(dǎo)通孔,其在所述第二極板和所述第一地平面之間延伸。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于德克薩斯儀器股份有限公司,未經(jīng)德克薩斯儀器股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380018528.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 電介質(zhì)元件、壓電元件、噴墨頭和噴墨記錄裝置
- 固體電解電容器及其制造方法
- 包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其方法
- 電介質(zhì)電極組合件及其制造方法
- 一種應(yīng)用于全光開關(guān)和光存儲(chǔ)器的光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)器件
- 一種應(yīng)用于全光開關(guān)和光存儲(chǔ)器的光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)器件
- 一種斐波那契序列電介質(zhì)與石墨烯的復(fù)合結(jié)構(gòu)
- 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
- 一種斐波那契序列電介質(zhì)與石墨烯的復(fù)合結(jié)構(gòu)
- 一種基于宇稱-時(shí)間對(duì)稱的全光開關(guān)





