[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201380018274.7
• 申請日: 2013-03-29
• 公開（公告）號: CN104205293B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 今村哲也;富澤由香;池田吉紀
• 申請（專利權）人: 帝人株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/225;H01L21/336;H01L29/786;H01L31/04;H01L21/208
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 童春媛,龐立志

1.半導體裝置的制造方法，該半導體裝置的制造方法包含通過下述工序，在半導體層或基材的第1區域形成第1摻雜層：

提供具有下述(i)和(ii)的層合體：

(i)第1和/或第2鈍化層，其配置于所述半導體層或基材上；和

(ii)第1摻雜劑注入層，其位于第1鈍化層的上側、第2鈍化層的下側，配置于與所述第1區域對應的區域，其由第1粒子形成，所述第1粒子本質上由與所述半導體層或基材相同的元素形成，且由p型或n型摻雜劑摻雜；以及

對所述層合體的與所述第1摻雜劑注入層對應的區域進行光照射，由此將所述第1區域由所述p型或n型摻雜劑摻雜，形成所述第1摻雜層，同時至少部分除去所述第1摻雜劑注入層以及所述第1和/或第2鈍化層中與所述摻雜劑注入層對應的區域。

2.根據權利要求1所述的方法，該方法包含以下工序：

使所述第1鈍化層堆積在所述半導體層或基材上；

對所述第1鈍化層中與所述第1區域對應的區域應用含有第1粒子的第1分散體，這里，所述第1粒子本質上由與所述半導體層或基材相同的元素形成，且由p型或n型摻雜劑摻雜；

將所應用的所述第1分散體干燥，制成所述第1摻雜劑注入層；以及

通過對所述第1摻雜劑注入層進行光照射，將所述第1區域由所述p型或n型摻雜劑摻雜，形成所述第1摻雜層，同時至少部分除去所述第1摻雜劑注入層以及所述第1鈍化層中與所述第1摻雜劑注入層對應的區域。

3.根據權利要求1所述的方法，該方法包含下述工序：

在所述第1區域應用含有第1粒子的第1分散體，這里，所述第1粒子本質上由與所述半導體層或基材相同的元素形成，且由p型或n型摻雜劑摻雜；

將所應用的所述第1分散體干燥，制成所述第1摻雜劑注入層；

使所述第2鈍化層堆積在所述半導體層或基材以及所述第1摻雜劑注入層上；以及

對所述第2鈍化層中與所述第1摻雜劑注入層對應的區域進行光照射，由此將所述第1區域由所述p型或n型摻雜劑摻雜，形成所述第1摻雜層，同時至少部分除去所述第1摻雜劑注入層以及所述第2鈍化層中與所述第1摻雜劑注入層對應的區域。

4.根據權利要求1所述的方法，該方法包含以下工序：

使所述第1鈍化層堆積在所述半導體層或基材上；

對所述第1鈍化層中與所述第1區域對應的區域應用含有第1粒子的第1分散體，這里，所述第1粒子本質上由與所述半導體層或基材相同的元素形成，且由p型或n型摻雜劑摻雜；

將所應用的所述第1分散體干燥，制成所述第1摻雜劑注入層；

使第2鈍化層堆積在所述第1鈍化層和所述第1摻雜劑注入層上；以及

對所述第2鈍化層中與所述第1摻雜劑注入層對應的區域進行光照射，由此將所述第1區域由所述p型或n型摻雜劑摻雜，形成所述第1摻雜層，同時至少部分除去所述第1摻雜劑注入層以及所述第1和第2鈍化層中與所述第1摻雜劑注入層對應的區域。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，該方法進一步包含穿過所述鈍化層形成電極，使其與所述第1摻雜層接觸的工序。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其中，所述摻雜劑的濃度在距所述第1區域的表面0.1μm的深度處為1×10¹⁷原子/cm³以上。

7.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其中，所述鈍化層具有1-200nm的層厚。

8.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其中，所述鈍化層由選自SiN、SiO₂、Al₂O₃以及它們的組合的材料形成。

9.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其中，所述半導體層或基材是硅、鍺或它們的組合的半導體層或基材。

10.根據權利要求2-4中任一項所述的方法，其中，通過印刷法進行所述分散體的應用。

11.根據權利要求1-4中任一項所述的方法，其中，所述粒子的平均一次粒徑為100nm以下。