[發(fā)明專利]測量EUV鏡頭的成像質(zhì)量的測量系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380015955.8
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN104204952B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R.弗里斯;M.薩馬尼戈;M.德岡瑟;H.海德納;R.霍克;M.施里弗
• 申請（專利權(quán)）人: 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G01M11/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 陳金林

1.一種用于測量EUV鏡頭的成像質(zhì)量的測量系統(tǒng)，包括：

-衍射測試結(jié)構(gòu)，所述衍射測試結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)為孔結(jié)構(gòu)；

-測量光輻射裝置，構(gòu)造成將處于EUV波長范圍中的測量光輻射至所述測試結(jié)構(gòu)上；

-變更裝置，用于改變所述測試結(jié)構(gòu)借助所述鏡頭實(shí)現(xiàn)的成像的至少一個(gè)像確定參數(shù)；

-探測器，用于記錄像堆，所述像堆包括在設(shè)定不同像確定參數(shù)的情況下產(chǎn)生的多個(gè)像；以及

-評估裝置，構(gòu)造成從所述像堆確定所述鏡頭的成像質(zhì)量，并且還構(gòu)造成：對于所述孔結(jié)構(gòu)的尺寸，在確定所述鏡頭的成像質(zhì)量時(shí)借助優(yōu)化計(jì)算確定與實(shí)際尺寸的偏離值。

2.如權(quán)利要求1所述的測量系統(tǒng)，

其中，所述測試結(jié)構(gòu)是測試掩模的一部分，所述測試掩模關(guān)于所述測量光具有反射效應(yīng)，并且所述測試掩模包括多層布置。

3.如權(quán)利要求2所述的測量系統(tǒng)，

其中，所述測試結(jié)構(gòu)被實(shí)現(xiàn)在施加至所述多層布置上的吸收層中。

4.如權(quán)利要求1所述的測量系統(tǒng)，

其中，所述衍射測試結(jié)構(gòu)是測試掩模的一部分，所述測量光輻射裝置構(gòu)造成將所述測量光以掠入射輻射至所述測試掩模上。

5.如權(quán)利要求1所述的測量系統(tǒng)，包括測試掩模，所述測試掩模具有切口形式的衍射測試結(jié)構(gòu)以及相對于所述具有切口形式的衍射測試結(jié)構(gòu)偏移的照明切口，其中，在所述測試掩模的相對于所述測量光輻射裝置的相反側(cè)布置反射元件，所述反射元件構(gòu)造成在所述測量光穿過所述照明切口之后將所述測量光引導(dǎo)通過所述測試結(jié)構(gòu)的切口。

6.如權(quán)利要求5所述的測量系統(tǒng)，

其中，所述反射元件實(shí)現(xiàn)為關(guān)于所述測量光以聚焦方式作用。

7.如權(quán)利要求5所述的測量系統(tǒng)，

其中，在所述測試掩模的相對于所述測量光輻射裝置的相反側(cè)布置兩個(gè)其它反射元件，使得所述測量光在穿過所述照明切口之后、在穿過所述測試結(jié)構(gòu)的切口之前附加地在所述兩個(gè)其它反射元件處偏轉(zhuǎn)。

8.如權(quán)利要求5至7任一項(xiàng)所述的測量系統(tǒng)，

其中，所述反射元件實(shí)現(xiàn)為漫射板。

9.如權(quán)利要求5至7任一項(xiàng)所述的測量系統(tǒng)，

其中，所述測試掩模和所述反射元件是掩模模塊的一部分，所述掩模模塊具有構(gòu)造成在用于光刻的EUV投射曝光設(shè)備中曝光的產(chǎn)品掩模母版的尺寸。

10.如上述權(quán)利要求5至7任一項(xiàng)所述的測量系統(tǒng)，

還包括布置在所述測量光與所述衍射測試結(jié)構(gòu)相互作用之后的測量光光路中的校正板，所述校正板構(gòu)造成對所述測量光具有光學(xué)效應(yīng)，所述光學(xué)效應(yīng)在所述校正板處在橫向于所述測量光的傳播方向的方向上變化。

11.如權(quán)利要求10所述的測量系統(tǒng)，

其中，所述校正板包括具有變化厚度的透射層。

12.一種包括用于檢驗(yàn)設(shè)備的EUV鏡頭和包括根據(jù)上述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的用于測量所述EUV鏡頭的成像質(zhì)量的測量系統(tǒng)的布置。

13.一種檢驗(yàn)用于微光刻的基板的表面的檢驗(yàn)設(shè)備，包括借助成像輻射將基板的要檢驗(yàn)表面的至少一部分成像至探測平面中的EUV鏡頭，并包括用于測量所述EUV鏡頭的成像質(zhì)量的如權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的測量系統(tǒng)。

14.如權(quán)利要求13所述的檢驗(yàn)設(shè)備，

所述檢驗(yàn)設(shè)備具有用于保持要檢驗(yàn)的基板的物體保持器，其中，所述測試結(jié)構(gòu)布置在所述物體保持器上，所述物體保持器安裝成使得其能夠在檢驗(yàn)位置和測量位置之間移位，在檢驗(yàn)位置中，要檢驗(yàn)的基板布置在所述測量光的光路中，在測量位置中，所述測試結(jié)構(gòu)布置在所述測量光的光路中。

15.如前述權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的測量系統(tǒng)，包含測試掩模，所述測試掩模包括測試結(jié)構(gòu)，所述測試結(jié)構(gòu)構(gòu)造成在用EUV波長范圍中的測量光照射時(shí)產(chǎn)生測試波，所述測試波的波前與理想球形形狀具有0.1nm或更小的最大偏差。