[發明專利]顯示面板在審
| 申請號: | 201380014021.2 | 申請日: | 2013-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN104160327A | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發明(設計)人: | 齊藤貴翁;種隼也;小峰佑紀;沼田和也 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/1345 | 分類號: | G02F1/1345;G02F1/1333;G02F1/1368;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
技術領域
本發明涉及顯示面板。更詳細而言,涉及以有源矩陣方式驅動的液晶顯示裝置所適用的顯示面板。
背景技術
作為液晶顯示裝置等的顯示裝置的驅動方式,已知有有源矩陣方式。例如,有源矩陣方式的液晶顯示裝置中,相互正交的柵極配線(也稱為“柵極匯流線”)和源極配線(也稱為“源極匯流線”)設置為格子狀,在通過柵極配線和源極配線劃分為矩陣狀的各區域配置薄膜晶體管。接著,當對薄膜晶體管的柵極電極通過柵極配線輸入掃描信號時,作為開關元件的薄膜晶體管成為導通狀態。薄膜晶體管為導通狀態時,源極配線中流通的圖像信號從薄膜晶體管的源極電極傳達到漏極電極,進一步傳達到像素電極。輸入到各像素電極的圖像信號對應于各像素中對應設置的像素電極與在全部像素共用的共用電極之間施加的電壓,換而言之,對應于向各像素的液晶施加的電壓。這樣,根據向液晶施加的電壓,使液晶的取向狀態發生變化,由此在每個像素控制能夠透射液晶的光的量,從而,能夠顯示高精細的畫面。這樣的有源矩陣方式,一般在通過多個像素進行顯示的電視、監視器等中使用。
在顯示裝置中,柵極配線、源極配線、薄膜晶體管等多個部件配置于有源矩陣基板上的顯示區域。另一方面,在有源矩陣基板上的外周區域配置與柵極配線或源極配線電連接的端子,通過該端子,從外部的電路向有源矩陣基板輸入掃描信號、圖像信號等顯示信號。公開了該端子結構的文獻大量已知(例如,參照專利文獻1~3)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:(日本)特開2002-303889號公報
專利文獻2:(日本)特開2009-128761號公報
專利文獻3:(日本)特開2011-100041號公報
發明內容
發明所要解決的技術問題
有源矩陣基板由于具備多個配線和電極,為了確保配線和電極間的絕緣,一般使用絕緣膜。另外,絕緣膜有時也為了使基板面內的凹凸平坦化而設置,例如,作為像素電極的基底,有時配置由有機材料構成的層間絕緣膜。這樣的絕緣膜有時幾乎在基板的整個面形成,例如,為了使與柵極配線或源極配線連接的端子露出,有時在基板的外周區域除去絕緣膜。
柵極配線或源極配線中所使用的一般材料,由于容易腐蝕,不適合在基板的外周區域露出。因此,有時利用位于比柵極配線或源極配線更上層的像素電極中使用的材料來覆蓋端子的表面。
作為在利用像素電極中使用的材料來覆蓋端子的表面的情況下可能產生的問題,可以列舉在端子彼此的距離接近時產生端子間短路。這如專利文獻1和2中所說明的,是因為在使用光刻印刷將導電膜圖案化而形成像素電極和端子的表層時,由于在層間絕緣膜的端部形成的段差而引起端子間的應該除去的導電膜的一部分(以下,稱為“殘膜”)殘留的緣故。
以下,參照附圖,詳細說明端子間的導電膜不被除去而殘留的理由。圖1是表示現有的有源矩陣基板的一例的平面示意圖。圖1的有源矩陣基板中,在基板的下部和右端部,設置配置端子的外周區域60。圖2是將圖1中的基板的右端部的顯示區域50和外周區域60的邊界放大得到的平面示意圖。圖2中所示的柵極配線11中的位于靠近顯示區域50的一側的左半部分被絕緣膜31覆蓋,右半部分從絕緣膜31露出。該從絕緣膜31露出的部分是作為端子21發揮功能的部分。圖2中,由于端子21間因為導電膜的殘膜32d而短路,因此,不能進行所期望的顯示。
這里,基于沿圖2中的A-B線的剖面圖,說明形成導電膜的殘膜32d的工序。沿圖2中的A-B線的區域是位于端子21間的區域,是本來應該除去導電膜32的區域,但是,如圖2所示,在端子21間形成導電膜的殘膜32d。
形成導電膜的殘膜32d的理由與利用光刻印刷來進行的導電膜32的圖案化工序有關。對于導電膜的圖案化工序,如圖3~圖5所示,在以下進行說明。圖3是沿圖2中的A-B線的剖面圖,表示在端子形成用的導電膜32之上,形成有抗蝕劑膜33的狀態。圖3的端子形成用的導電膜32用于形成像素電極和端子21的表層。圖3中,光刻印刷用的抗蝕劑膜33形成于導電膜32上。抗蝕劑膜33由于因導電膜32下的絕緣膜31形成的段差,接近段差的區域的厚度D1厚于其它區域的厚度D2。在光刻印刷中,對圖3的抗蝕劑膜33曝光,在此后進行顯影。
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