[發明專利]用于線性等離子體源的靜態沉積輪廓調整

無效

• 申請號: 201380013503.6
• 申請日: 2013-03-20
• 公開（公告）號: CN104170059A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: M·維爾萊卡爾;M·S·考克斯;H·P·穆格卡;C·C·王;L·張;H·K·波內坎蒂;M·P·斯圖爾特;E·P·哈蒙德四世;A·S·波利亞克
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H05H1/46;C23C16/50
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 黃嵩泉

1.一種線性等離子體源，包含：

噴灑頭，內部形成有開口，用以供氣體流過；

設置于所述噴灑頭附近的輸送器，所述輸送器上適以支撐基板并將所述基板相對于所述噴灑頭移動；

電源，用以離子化所述氣體；以及

氣體成型裝置，設置于所述噴灑頭附近，以影響基板上的沉積輪廓，其中所述氣體成型裝置在處理過程中是可致動的。

2.如權利要求1所述的線性等離子體源，其特征在于，所述氣體成型裝置為可移動的擋板，所述擋板適于防止或減少通過形成于所述噴灑頭內的至少一些所述開口的氣流。

3.如權利要求2所述的線性等離子體源，其特征在于，所述可移動的擋板是可致動到位于所述噴灑頭與所述輸送器之間的位置。

4.如權利要求3所述的線性等離子體源，其特征在于，所述可移動的擋板由不銹鋼或石英所形成。

5.如權利要求4所述的線性等離子體源，其特征在于，所述可移動的擋板回應所述輸送器的移動而移動。

6.如權利要求1所述的線性等離子體源，其特征在于，所述氣體成型裝置包含一或多個磁鐵，所述磁鐵設置于所述噴灑頭附近并且適以影響所述離子化氣體，其中所述一或多個磁鐵可在X、Y及Z方向上移動，且其中所述磁鐵回應所述輸送器的移動而移動。

7.一種線性等離子體源，包含：

噴灑頭，具有下表面，所述下表面內部形成有開口，用以供氣體流過；

設置于所述噴灑頭附近的輸送器，所述輸送器上適以支撐基板并將所述基板相對于所述噴灑頭移動；

電源，用以離子化所述氣體；以及

致動器，適以改變所述噴灑頭的所述下表面的角度相對于所述輸送器的上表面的角度。

8.如權利要求7所述的線性等離子體源，其特征在于，所述氣體經由柔性軟管或配件提供到所述噴灑頭。

9.如權利要求7所述的線性等離子體源，進一步包含設置于所述輸送器上方的第二噴灑頭，其中所述噴灑頭適以相對于所述輸送器的行進方向傾斜或下降。

10.如權利要求7所述的線性等離子體源，其特征在于，所述輸送器上適以支撐數個基板。

11.一種線性等離子體源，包含：

輸送器，所述輸送器上適以支撐基板，并且所述輸送器在第一方向上移動所述基板；

噴灑頭，位于所述輸送器上方，所述噴灑頭具有分離的氣體通道，所述氣體通道流體耦接到形成于所述噴灑頭內的開口，用以供氣體流過，其中通過所述噴灑頭的所述氣流為非均勻的；以及

電源，用以離子化所述氣體。

12.如權利要求11所述的線性等離子體源，其特征在于，沿著第一方向的所述開口的變動間距導致所述非均勻的氣流。

13.如權利要求11所述的線性等離子體源，其特征在于，所述開口的直徑沿著第一方向增加，且其中所述非均勻性包含非均勻的氣體組成。

14.如權利要求11所述的線性等離子體源，其特征在于，所述噴灑頭中包含數個不同的氣體通道。

15.一種在線性等離子體源中處理基板的方法，包含以下步驟：

將基板放置于輸送器上；

將基板輸送到噴灑頭附近；以及

使所述基板曝露于離子化氣體，以在所述基板上沉積膜，其中以氣體成型裝置影響所述離子化氣體，以于所述基板被輸送到靠近所述噴灑頭時在所述基板上均勻地沉積所述膜，其中以氣體成型裝置影響所述氣體包含移動擋板到靠近所述噴灑頭的下表面，以防止或減少通過的氣流。