[發明專利]用于提高質譜儀中的靈敏度的方法及設備

在審

• 申請號: 201380012752.3
• 申請日: 2013-02-01
• 公開（公告）號: CN104160474A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 哈?！べZ瓦希里;布魯斯·A·湯姆森
• 申請（專利權）人: DH科技發展私人貿易有限公司
• 主分類號: H01J49/26
• 分類號: H01J49/26;H01J49/10
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 曹曉斐

1.一種用于執行質量分析的方法，其包括：

在高壓區域中從樣本產生離子；

將所述離子傳遞到真空室中，所述真空室包括：入口孔隙，其用于將來自所述高壓區域的所述離子傳遞到所述真空室中；及出口孔隙，其用于傳遞來自所述真空室的離子；其中所述入口孔隙的配置及所述高壓區域與所述真空室之間的壓力差提供所述入口孔隙下游的超音速自由射流擴張，所述超音速自由射流擴張包括預定直徑的桶形沖擊波；

在所述入口孔隙與所述出口孔隙之間提供至少一個離子引導件，所述至少一個離子引導件具有界定內體積的預定橫截面；其中所述至少一個離子引導件的所述橫截面經定大小為所述超音速自由射流擴張的所述桶形沖擊波的所述預定直徑的至少50％；

將RF電壓施加到所述至少一個離子引導件以將所述離子徑向約束在所述至少一個離子引導件的所述內體積內；以及

在所述至少一個離子引導件的第一區段中降低徑向氣體傳導性以阻尼由所述超音速自由射流擴張引起的沖擊波。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述降低氣體傳導性的步驟包括使用絕緣套管圍繞所述至少一個離子引導件的長度的至少第一部分。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述套管至少包括所述超音速自由射流擴張的長度，任選地

其中所述套管的長度在約5mm與約30mm之間，任選地

其中所述套管的直徑包括所述至少一個離子引導件的大約外徑，且任選地

其中所述套管由絕緣材料組成。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個離子引導件包括具有多個細長電極的至少一個多極，且任選地

其中所述至少一個多極包括一系列多極離子引導件。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述至少一個多極離子引導件選自具有四個細長電極的四極離子引導件、具有六個細長電極的六極離子引導件及具有八個細長電極的八極離子引導件及其任何組合，任選地

其中所述降低氣體傳導性的步驟包括將所述細長電極之間的間隔減小到小于0.2R₀的距離，其中R₀為所述離子引導件內的內切圓的半徑，任選地

其中所述至少一個多極離子引導件的桿選自扁圓細長電極及圓形細長電極中的一者，任選地

其中所述細長電極之間的所述間距在約0.4mm與約1.5mm之間，且任選地。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述細長電極之間的所述間距沿著所述至少一個離子引導件的所述長度維持至少約5cm的距離。

7.根據權利要求5所述的方法，其中所述細長電極包括突起，且任選地

其中所述突起包括小于所述桿在垂直于所述縱軸的最長維度上的寬度的大約一半的寬度，且高度大于約1mm。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述入口孔隙是圓形的且具有約0.1mm到約2mm之間的直徑，且任選地

其中所述圓形入口孔隙包括約0.7mm的直徑。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述預定橫截面形成內切圓且具有在約3mm與約15mm之間的直徑。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述真空室具有在約1托與約20托之間的壓力，且任選地

其中所述真空室具有約3托的壓力。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少一個離子引導件包括第一離子引導件，所述第一離子引導件之后是第二離子引導件，其中所述第二離子引導件包括小于所述第一離子引導件的直徑，任選地

其中所述第二離子引導件包括具有在離子流的方向上朝向所述軸傾斜的內表面的電極，且任選地

其中所述第二離子引導件內的所述內切圓的所述直徑在入口端處為約4mm且在出口端處為約2mm。