[發明專利]傳感器設備

有效

• 申請號: 201380012384.2
• 申請日: 2013-02-20
• 公開（公告）號: CN104272089B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 北川雄介;橋本谷磨志;福島獎
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: G01N21/45
• 分類號: G01N21/45
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 韓聰

技術領域

本發明涉及例如能在病毒等的探測中使用的傳感器設備。

背景技術

圖22是例如能在病毒探測等中使用的專利文獻1所公開的傳感器設備600的截面圖。傳感器設備600具有：棱鏡601；配置在棱鏡601的下表面的表面平坦的金屬層602；配置在金屬層602的下表面、表面的平坦且有規定的介電常數的絕緣層603；和固定在絕緣層603的下表面的受體604。

在金屬層602與絕緣層603的界面存在電子的疏密波即表面等離子體波。在棱鏡601側上方配置光源605，在全反射條件下從光源605向棱鏡601入射P偏振的光。此時，在金屬層602和絕緣層603的表面產生衰逝波。在金屬層602全反射的光在檢波部606被接受，對光的強度進行檢測。

在此，在滿足衰逝波與表面等離子體波的波數一致的波數匹配條件時，從光源605提供的光的能量被利用于表面等離子體波的激發，反射光的強度減小。波數匹配條件取決于從光源605提供的光的入射角。因此，若使入射角變化而由檢波部606來檢測反射光強度，則在某入射角下反射光的強度減小。

反射光的強度成為最小的角度即共振角取決于絕緣層603的介電常數。若將樣本中的被測定物質即被分析物與受體604特異性地結合而生成的特異性結合物構成在絕緣層603的下表面，則絕緣層603的介電常數發生變化，對應于此而共振角發生變化。因此，通過監視共振角的變化，能探測被分析物與受體604的特異性結合反應的結合強弱和結合快慢等。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：JP特開2005-181296號公報

發明內容

傳感器設備具備：流路，其構成為使含有被分析物的樣本流過，且構成為配置載體；和金屬層，其設置于流路中。在載體的表面構成為固定與被分析物進行特異性結合而生成凝聚體的多個受體。流路具有：凝聚體捕獲部，其構成為使被分析物局部集中存在。

該傳感器設備構成簡單、且具有高的檢測靈敏度。

附圖說明

圖1A是本發明的實施方式1中的傳感器設備的俯視圖。

圖1B是圖1A所示的傳感器設備的線1B-1B的截面圖。

圖2A是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖2B是圖2A所示的傳感器設備的俯視截面圖。

圖3是表示實施方式1中的傳感器設備的受體與被分析物的特異性結合的概念圖。

圖4A是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖4B是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖5是實施方式1中的傳感器設備的電磁場模擬解析模型的概念圖。

圖6是表示實施方式1中的傳感器設備的電磁模擬的解析結果的圖。

圖7A是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖7B是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖8A是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖8B是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖9是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖10是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖11是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖12是實施方式1中的傳感器設備的側截面圖。

圖13A是本發明的實施方式2中的傳感器設備的俯視截面圖。

圖13B是實施方式2中的其它傳感器設備的俯視截面圖。

圖14A是實施方式2中的傳感器設備的側截面圖。

圖14B是圖14A所示的傳感器設備的俯視截面圖。

圖15是凝聚體的概念圖。

圖16A是本發明的實施方式3中的傳感器設備的側截面圖。

圖16B是圖16A所示的傳感器設備的放大圖。

圖17是表征實施方式3中的傳感器設備的電場強度的分布的圖。

圖18A是本發明的實施方式4中的傳感器設備的俯視截面圖。

圖18B是表示圖18A所示的傳感器設備的線18B-18B的側截面圖。

圖18C是實施方式4中的其它傳感器設備的俯視截面圖。

圖18D是圖18C所示的傳感器設備的線18D-18D的側截面圖。

圖19A是本發明的實施方式5中的傳感器設備的俯視截面圖。

圖19B是圖19A所示的傳感器設備的線19B-19B的側截面圖。