[發明專利]電荷傳輸性清漆有效
| 申請號: | 201380012099.0 | 申請日: | 2013-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN104145348B | 公開(公告)日: | 2017-03-08 |
| 發明(設計)人: | 竹田佳代;吉本卓司 | 申請(專利權)人: | 日產化學工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;C09D5/00;C09D7/12;C09D201/00;H01B1/20;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 吳宗頤 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電荷 傳輸 清漆 | ||
技術領域
本發明涉及電荷傳輸性清漆,更詳細地說,涉及可制作平坦性良好的薄膜的電荷傳輸性清漆。
背景技術
在有機電致發光元件(以下簡稱為有機EL元件)中,通常使用包含電荷傳輸性低聚物和/或聚合物的電荷傳輸性薄膜作為電荷注入層、電荷傳輸層及發光層。
這樣的電荷傳輸性薄膜要求高平坦性。認為這是因為:電荷傳輸性薄膜的凹凸與元件的發光不均、元件壽命的降低、黑點的產生以及由短路導致的元件特性降低等有關,在生產有機EL元件時會成為引起收率下降的原因。
因此,強烈需求能夠形成平坦性高的、可實現工業化的電荷傳輸性薄膜的技術。
用于形成電荷傳輸性薄膜的工藝,大致可分為:以真空蒸鍍法為代表的干法和以旋涂法為代表的濕法。
將干法與濕法進行比較,濕法可容易地制作平坦性高的薄膜,因此,可期待元件的收率得到提高。
基于上述理由,即使在工業上制造有機EL元件的工藝中,也主要使用濕法。
基于這一點,本發明人等進行了用于通過濕法制作可適用于各種電子器件的電荷傳輸性薄膜的電荷傳輸性清漆的開發(例如參考專利文獻1~3)。
然而,在近年來圖像顯示設備的大型化等顯示器領域中的進展的背景下,越發需求高精度、再現性良好且可大面積成膜的電荷傳輸性清漆,在以往的清漆中,沒有可充分滿足上述要求的清漆。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:國際公開第2004/043117號
專利文獻2:國際公開第2005/107335號
專利文獻3:國際公開第2007/049631號
發明內容
發明要解決的課題
本發明基于上述情況而完成,其目的在于,提供一種可再現性良好地提供平坦性優異的電荷傳輸性薄膜的電荷傳輸性清漆。
解決課題的手段
本發明人等為了實現上述目的,進行了深入研究,結果發現:通過組合使用相對于電荷傳輸性物質或電荷傳輸性材料的良溶劑以及不良溶劑作為用于制備清漆的溶劑,同時適當調整上述良溶劑和不良溶劑的沸點差,使用粘度和表面張力被調整在適當范圍內的清漆,由此可以再現性良好地制作均勻性更高且表面凹凸得到了抑制的薄膜,從而完成了本發明。
即,本發明提供:
1.一種電荷傳輸性清漆,其含有電荷傳輸性材料和混合溶劑、且所述電荷傳輸性材料溶解或均勻分散在所述混合溶劑中,其中,
所述電荷傳輸性材料包含電荷傳輸物質或包含該電荷傳輸物質和摻雜劑物質,所述電荷傳輸物質包含電荷傳輸性單體或數均分子量為200~50萬的電荷傳輸性低聚物或聚合物,
所述混合溶劑包含至少1種良溶劑和至少1種不良溶劑,
所述良溶劑和不良溶劑的沸點差ΔT℃的絕對值滿足|ΔT|<20℃,
所述電荷傳輸性清漆在25℃的粘度為7.5mPa·s以下,且在23℃的表面張力為30.0~40.0mN/m。
2.上述1所述的電荷傳輸性清漆,其中,所述良溶劑為選自N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、二甘醇和三甘醇中的至少一種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于日產化學工業株式會社,未經日產化學工業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380012099.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:鋰二次電池用電極活性材料及其制備方法
- 下一篇:電子電路的線布置及其制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





