[發明專利]SiC半導體器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201380010206.6 | 申請日： | 2013-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN104126219B | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發明（設計）人： | 今井文一 | 申請（專利權）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/329;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件制造方法，在SiC半導體上形成電極結構，其特征在于，
在所述SiC半導體上形成包含鎳和鈦的層之后，通過加熱來生成具有碳化鈦的硅化鎳層，在具有所述碳化鈦的硅化鎳層上形成金屬層，從而形成所述電極結構，所述加熱在1150℃以上1350℃以下的條件下進行，
所述加熱在升溫速度為10℃/分鐘以上100℃/分鐘以下、加熱保持時間為120分鐘以下的條件下進行。
2.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于，
所述半導體器件具有背面電極結構和表面電極結構作為所述電極結構，所述背面電極結構由具有所述碳化鈦的硅化鎳層的歐姆電極和所述金屬層的背面電極構成，所述表面電極結構由肖特基電極和表面電極構成。
3.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于，
所述電極結構為如下電極結構：在所述SiC半導體上，從靠近所述SiC半導體的一側開始依次層疊有具有所述碳化鈦的硅化鎳層、鈦層、鎳層、金層。
4.如權利要求1所述的半導體器件制造方法，其特征在于，
具有所述碳化鈦的硅化鎳層從靠近所述SiC半導體的一側開始依次層疊有硅化鎳層、碳化鈦層。
5.一種半導體器件，其特征在于，利用權利要求1至4中的任一項所述的半導體器件制造方法來制造。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
