[發明專利]多腔室基板處理系統

有效

• 申請號: 201380007166.X
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN104081514B
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: J·約德伏斯基;N·B·帕蒂班德拉;P·K·納萬卡爾;L-Q·夏;藤田敏明;R·霍夫曼;J·吳;S·薩蒂亞;B·吳
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/205;C23C16/44
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 徐偉

1.一種用于處理多個基板的基板處理平臺，所述基板處理平臺包含：

兩個或更多個氣體分配組件；

一或多個處理站，所述一或多個處理站旋轉式配置在所述兩個或更多個氣體分配組件之間；

旋轉軌道機構，定位在所述兩個或更多個氣體分配組件下方第一距離處，以接收由多個基板載具所支撐的所述多個基板，所述多個基板載具配置在所述旋轉軌道機構上；以及

雙刃片移送機器人，能夠搭載兩個基板，并且能夠同步移送所述兩個基板至兩個基板載具上以及移送所述兩個基板離開所述兩個基板載具，所述兩個基板載具配置在所述旋轉軌道機構上，

其中所述旋轉軌道機構能夠同步接收至少兩個基板，且以第一旋轉速度旋轉，使得配置在所述多個基板載具上的所述多個基板在所述兩個或更多個氣體分配組件下方旋轉并且通過所述兩個或更多個氣體分配組件。

2.如權利要求1所述的基板處理平臺，其特征在于，配置在所述旋轉軌道機構上的每一基板載具以第二旋轉速度自我旋轉。

3.如權利要求1所述的基板處理平臺，其特征在于，進一步包含一或多個緩沖站，所述一或多個緩沖站旋轉式配置在所述兩個或更多個氣體分配組件之間。

4.如權利要求1所述的基板處理平臺，其特征在于，所述一或多個處理站包含等離子體處理站。

5.如權利要求1所述的基板處理平臺，其特征在于，所述兩個或更多個氣體分配組件旋轉式配置在鄰近所述旋轉軌道機構處。

6.如權利要求5所述的基板處理平臺，其特征在于，進一步包含一組第一處理站以及一組第二處理站，使得第一處理站與第二處理站旋轉式定位在鄰近所述旋轉軌道機構處且定位在所述氣體分配組件的每一者之間。

7.一種用于處理多個基板的基板處理系統，所述基板處理系統包含：

如權利要求1所述的處理平臺；以及

移送室，具有雙刃片移送機器人，所述雙刃片移送機器人能夠搭載兩個基板，并且能夠同步移送所述兩個基板至兩個基板載具上以及移送所述兩個基板離開所述兩個基板載具，所述兩個基板載具配置在所述旋轉軌道機構上。

8.如權利要求7所述的基板處理系統，其特征在于，配置在所述旋轉軌道機構上的每一基板載具能夠以第二旋轉速度自我旋轉。

9.如權利要求7所述的基板處理系統，其特征在于，所述處理平臺進一步包含一或多個緩沖站，所述一或多個緩沖站旋轉式配置在所述兩個或更多個氣體分配組件之間。

10.如權利要求7所述的基板處理系統，其特征在于，所述一或多個處理站包含等離子體處理站。

11.如權利要求7所述的基板處理系統，其特征在于，所述兩個或更多個氣體分配組件旋轉式配置在鄰近所述旋轉軌道機構處。

12.如權利要求11所述的基板處理系統，其特征在于，進一步包含一組第一處理站以及一組第二處理站，使得第一處理站與第二處理站旋轉式定位在鄰近所述旋轉軌道機構處且定位在所述氣體分配組件的每一者之間。

13.如權利要求7所述的基板處理系統，其特征在于，進一步包含儲備平臺，所述儲備平臺具有至少一個雙基板處理站，所述雙基板處理站設置成用于同步處理在所述雙基板處理站中的兩個基板。

14.一種處理多個基板的方法，所述方法包括以下步驟：

在包含多個氣體分配組件的處理腔室中，將多個基板裝載至旋轉軌道機構上，使得所述基板繞所述處理腔室的內部旋轉式配置在鄰近旋轉軌道機構處，且使得所述基板定位在實質上相當的起始位置；

使所述旋轉軌道機構旋轉，使得每一基板從氣體分配組件的第一側移動至所述氣體分配組件的第二側，如此，藉由所述氣體分配組件提供的多個氣流而將層沉積在所述基板的表面上；

在每一基板已被遞送至所述氣體分配組件的所述第二側后，使所述旋轉軌道機構停止，使得每一基板定位在鄰近等離子體處理站處，而且以等離子體處理在所述基板的所述表面上形成的膜；

使所述旋轉軌道機構繼續旋轉，使得每一基板從氣體分配組件的第一側移動至所述氣體分配組件的第二側，直到形成期望厚度的膜為止；以及

從所述處理腔室卸載所述多個基板，使得每一基板已經歷實質上相同的處理環境。