[實用新型]復(fù)合基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320884800.5
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN203851109U
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山寺喬纮;堀裕二;多井知義;服部良祐;鈴木健吾
• 申請（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會社;NGK陶瓷設(shè)備株式會社
• 主分類號: H03H9/19
• 分類號: H03H9/19
• 代理公司: 上海市華誠律師事務(wù)所 31210
• 代理人: 李曉

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及復(fù)合基板。

背景技術(shù)

以往，能夠作為在手機等上使用的濾波元件和振蕩器發(fā)揮功能的彈性表面波器件、使用壓電薄膜的蘭姆波元件以及薄膜諧振子（FBAR：Film?Bulk?Acoustic?Resonator）等的彈性波器件被人們所熟知。作為這樣的彈性波器件，已知這樣一種在制作將傳播彈性波的壓電基板與具有比該壓電基板小的線性熱膨脹系數(shù)（以下簡稱為“熱膨脹系數(shù)”）的支撐基板連接而得到的幾英寸大小的復(fù)合基板，并對該復(fù)合基板采用光刻技術(shù)而設(shè)置了大量的梳齒電極之后，通過切割來切出而得到的器件。通過利用這樣的復(fù)合基板，從而由支撐基板抑制溫度發(fā)生變化時的壓電基板的大小變化，所以作為彈性波器件的頻率特性得以穩(wěn)定化。例如，專利文獻(xiàn)1中提出了有一種結(jié)構(gòu)為通過環(huán)氧粘接劑組成的粘合層將作為壓電基板的LT基板（LT是鉭酸鋰的簡稱）和作為支撐基板的硅基板貼合的彈性波器件。另外，專利文獻(xiàn)2中提出有一種結(jié)構(gòu)為在壓電基板與支撐基板的連接面上照射離子束使其活化，在連接面上使壓電基板與支持基板直接連接的彈性波器件。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

【專利文獻(xiàn)1】日本專利特開2007-150931號公報

【專利文獻(xiàn)2】日本專利特開2004-343359號公報

實用新型內(nèi)容

【實用新型所要解決的技術(shù)問題】

然而，由于上述專利文獻(xiàn)1、2的復(fù)合基板因為耐熱性不夠高，會存在在晶片狀態(tài)下的加熱處理中發(fā)生開裂和剝離的問題。

本實用新型是鑒于上述問題而提出的，主要目的在于，提供一種具備優(yōu)良的耐熱性的復(fù)合基板。

【解決問題的技術(shù)手段】

本實用新型的復(fù)合基板包括：壓電基板，所述壓電基板具備定位平面，并且在線性熱膨脹系數(shù)和楊氏模量中的至少一個具有各向異性；以及支撐基板，所述支撐基板具備定位平面，并與所述壓電基板連接，在線性熱膨脹系數(shù)和楊氏模量中的至少一個具有各向異性。所述壓電基板和所述支撐基板以下述方式連接：在沿著相互的連接面的方向中，將沿所述壓電基板的定位平面的方向設(shè)為第1方向，將與該第1方向垂直的方向設(shè)為第2方向時，相互的中心在所述第1方向上的距離即第1距離D1、在所述第2方向上的距離即第2距離D2的其中一個為超過壓電基板的直徑的0%且在1%以下，另一個為壓電基板的直徑的0%以上1%以下。

根據(jù)本實用新型的復(fù)合基板，通過使壓電基板與支撐基板的第1距離D1、第2距離D2為所述范圍，從而提高了耐熱性。雖然理由并不明確，但是實際上在將壓電基板與支撐基板的第1距離D1、第2距離D2中的至少一個錯開而連接的復(fù)合基板中，發(fā)生開裂和剝離的數(shù)量較少。從通過實驗方法進(jìn)行的評價來看，認(rèn)為這樣連接的復(fù)合基板的熱應(yīng)力變小了。熱應(yīng)力小的范圍是指第1距離D1和第2距離D2的其中一個為超過壓電基板的直徑的0%且在1%以下，另一個為壓電基板12的直徑的0%以上1%以下。

在本實用新型的復(fù)合基板中，所述第1距離D1和所述第2距離D2優(yōu)選都為所述壓電基板的直徑的0.3%以上1.0%以下。這樣的話，因為壓電基板與支撐基板的外圓周的交點變少，所以能夠使加熱時的熱應(yīng)力進(jìn)一步減小。

本實用新型的復(fù)合基板中，所述壓電基板與所述支撐基板可以按相互的定位平面所呈的角度θ為2°～60°的方式來連接。由此，能夠提高復(fù)合基板的耐熱性。

本實用新型的復(fù)合基板中，所述壓電基板和所述支撐基板可以通過含有Ar的非晶體層而連接。這樣做的話，由于在復(fù)合基板加熱時非晶體層作為緩沖材料而起到了緩沖層的作用，所以能夠緩解加熱時的熱應(yīng)力。由此，能夠進(jìn)一步地提高復(fù)合基板的耐熱性。

本實用新型的復(fù)合基板中，所述支撐基板可以是硅制的，并在方位（111）面上與所述壓電基板連接。通過這樣，加熱時的熱應(yīng)力被3等分到XYZ軸方向上，所以各自的分力變小。另外，如果是（111）面的話，則晶體結(jié)構(gòu)為最密充填，因此從晶體結(jié)構(gòu)的視點來看，連接時的支撐基板的接觸面積變成了最大。因此，連接強度得以提高，支撐基板將會難以發(fā)生剝離。由此，能夠進(jìn)一步地提高復(fù)合基板的耐熱性。

附圖說明

圖1是復(fù)合基板10的立體圖。

圖2是圖1的A視向來看的圖。

圖3是圖1中的B–B的截面圖（部分截面圖）。

圖4是在非晶體層13由3層組成的情況下的非晶體層13的放大截面圖。

圖5是示意地示出了復(fù)合基板10的制造工序的說明圖。