[實用新型]一種發光二極管芯片有效
| 申請號： | 201320879857.6 | 申請日： | 2013-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN203967108U | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發明（設計）人： | 謝春林 | 申請（專利權）人： | 惠州比亞迪實業有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/46 | 分類號： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 516083*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 芯片 | ||
1.一種發光二極管芯片，其特征在于，包括：
襯底、在襯底上依次形成的緩沖層、N型半導體層、部分覆蓋N型半導體層的發光層，及依次形成在發光層之上的電子阻擋層和P型半導體層，在所述N型半導體層上形成N電極區；
超晶格反射層，包括形成在P型半導體層上的P電極超晶格反射層和形成在N電極區內、N型半導體層上的N電極超晶格反射層，所述超晶格反射層與相應的電極形狀相適應；
導電層，所述導電層覆蓋在P型半導體層和P電極超晶格反射層上；
P電極和N電極，所述P電極形成在導電層上，并且位于P電極超晶格反射層上方，所述N電極形成在N電極超晶格反射層上。
2.如權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述P電極超晶格反射層為AlGaN/GaN超晶格結構或InGaN/GaN超晶格結構，所述N電極超晶格反射層為AlGaN/GaN超晶格結構或InGaN/GaN超晶格結構。
3.如權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述AlGaN/GaN超晶格結構或InGaN/GaN超晶格結構為30~50個周期。
4.如權利要求2或3所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述AlGaN/GaN超晶格結構中的AlGaN層的厚度為2~5nm，GaN層的厚度為2~5nm。
5.如權利要求2或3所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述InGaN/GaN超晶格結構中的InGaN層的厚度為2~5nm，GaN層的厚度為2~5nm。
6.一種發光二極管芯片，其特征在于，包括：
襯底、在襯底上依次形成的緩沖層、N型半導體層、部分覆蓋N型半導體層的發光層，及依次形成在發光層之上的電子阻擋層和P型半導體層，在所述N型半導體層上形成N電極區；
超晶格反射層，包括形成在P型半導體層上的P電極超晶格反射層和形成在N電極區內、N型半導體層上的N電極超晶格反射層，所述超晶格反射層與相應的電極形狀相適應；
導電層，所述導電層覆蓋在P型半導體層上；
P電極和N電極，所述P電極形成在P電極超晶格反射層上，所述N電極形成在N電極超晶格反射層上。
7.如權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述P電極超晶格反射層為AlGaN/GaN超晶格結構或InGaN/GaN超晶格結構，所述N電極超晶格反射層為AlGaN/GaN超晶格結構或InGaN/GaN超晶格結構。
8.如權利要求7所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述AlGaN/GaN超晶格結構或InGaN/GaN超晶格結構為30~50個周期。
9.如權利要求7或8所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述AlGaN/GaN超晶格結構中的AlGaN層的厚度為2~5nm，GaN層的厚度為2~5nm。
10.如權利要求7或8所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述InGaN/GaN超晶格結構中的InGaN層的厚度為2~5nm，GaN層的厚度為2~5nm。
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