[實用新型]大功率方片可控硅封裝結構

有效

• 申請號: 201320861456.8
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN203644755U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 許志峰
• 申請（專利權）人: 江蘇東光微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 夏平

1.一種大功率方片可控硅封裝結構，其特征是它包括從上至下依次設置的上鉬片（7）、第三焊料層（6）、芯片（5）、第二焊料層（4）、下鉬片（3）和第一焊料層（2），前述上鉬片（7）、第三焊料層（6）、芯片（5）、第二焊料層（4）、下鉬片（3）和第一焊料層（2）均置于硅膠框（8）內，芯片（5）的兩端插入硅膠框（8）內部，硅膠框（8）外部安裝有導電外殼（1），所述的導電外殼（1）為頂部敞開，其余三面封閉的半包圍結構，所述的導電外殼（1）的底部焊接在該大功率方片可控硅需要安裝的位置。

2.根據權利要求1所述的大功率方片可控硅封裝結構，其特征是所述的導電外殼（1）為銅外殼或者鋁外殼。

3.根據權利要求1所述的大功率方片可控硅封裝結構，其特征是所述的導電外殼（1）的厚度為1.5-2.5毫米。

4.根據權利要求3所述的大功率方片可控硅封裝結構，其特征是所述的導電外殼（1）的厚度為2毫米。