[實用新型]一種晶體硅太陽能電池減反膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320849794.X
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN203812887U
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設計）人: 張春華;李棟;高文麗;孟祥熙;許濤
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒;陸金星

1.一種晶體硅太陽能電池減反膜，其特征在于：依次包括設于硅片襯底上的非晶硅膜層(1)、設于非晶硅膜層上的第一富硅氮化硅膜層(2)、設于第一富硅氮化硅膜層上的第二富硅氮化硅膜層(3)；

所述晶體硅太陽能電池減反膜的總厚度為78~92?nm，其綜合折射率為2.0~2.20。

2.根據(jù)權利要求1所述的晶體硅太陽能電池減反膜，其特征在于：所述第一富硅氮化硅膜層的富硅量為25%~50%；第二富硅氮化硅膜層的富硅量為5%~15%。