[實用新型]多色透光薄膜太陽能電池組件有效
| 申請號: | 201320849556.9 | 申請日: | 2013-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN203746883U | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發明(設計)人: | 鐘書群;韓美英;李廷凱;夏歐亞;謝喜順 | 申請(專利權)人: | 湖南共創光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/078 | 分類號: | H01L31/078 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人: | 馬強 |
| 地址: | 421001 湖南省衡*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多色 透光 薄膜 太陽能電池 組件 | ||
技術領域
本實用新型屬于太陽能電池領域,具有涉及一種硅基薄膜太陽能電池組件以及透光和半透光組件的結構。?
背景技術
目前市面上透光薄膜太陽能電池組件大多采用綠激光或紅外激光進行橫向劃刻(即垂直于P1/P2/P3劃線方向),以去除硅層和背電極層來達到透光目的。但該種制造方法樣式單一,且多次劃刻破壞電池結構,同時造成短路等影響,導致電池功率損失遠大于蝕刻面積。存在多種弊端。所述P1為激光第一次劃刻,P2為激光第二次劃刻,P3為激光第三次劃刻。?
傳統透光電池前段制造工藝:預清洗—透明氧化前電極—第一次激光劃刻—高級清洗—PECVD—第二次激光劃刻—透明氧化背電極—第三次激光劃刻—第四次激光劃刻—完成。傳統透光線垂直于P1/P2/P3劃線方向劃刻,容易在與P1/P2/P3交錯的地方形成電池短路,影響組件的光學性能,降低功率。第四次劃刻線與P1/P2/P3交錯的地方容易形成電池短路。從而影響組件的性能表現。?
傳統P1/P2/P3劃線只是為了將電池組件分割成一個個的小電池區域,沒有考慮到電池的有效發電區域和死區,傳統的P1/P2/P3劃線往往不區分有效區和死區進行劃刻,容易破壞電池結構,造成電池效率降低。?
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是:針對現有的傳統技術問題,提出一種新型的透光太陽能電池組件。該薄膜太陽能電池組件可利用不同的電池結構(薄膜光電轉化層)制備出不同顏色的透明和半透明的電池組件;也可以由彩色的PVB(中文全稱聚乙烯醇縮丁醛)來實現多色的效果。其中透光主要是采用多條P2重疊平行劃刻的P2刻蝕區來實現。該方法可制備出轉化效率更高,更美觀的多色透光型太陽能電池。?
為解決上述技術問題,本實用新型所采用的技術方案是:?
一種多色透光薄膜太陽能電池組件,該電池組件在水平方向上包括多個有效區和位于任意相鄰兩個有效區之間的死區;該電池組件在垂直方向上從下至上依次為前板透光襯底層、第一層透明導電氧化物層、薄膜光電轉化層、第二層透明導電氧化物層、封裝層、和背板透光襯底層;在第一層透明導電氧化物層上有P1刻蝕區、在薄膜光電轉化層上有P2刻蝕區、在薄膜光電轉化層和第二層透明導電氧化物層上有P3刻蝕區,且P2刻蝕區位于P1刻蝕區和P3刻蝕區之間;所述P1刻蝕區、P2刻蝕區和P3刻蝕區均位于所述死區的區域內,且多個P2刻蝕區在水平方向上的總寬度是所述電池組件在水平方向上的寬度與所述電池組件的透光度之積。?
所述P2刻蝕區與P1刻蝕區和P3刻蝕區之間的間距分別優選為50μm-150μm。?
所述封裝層優選為聚乙烯醇縮丁醛層。?
所述薄膜光電轉化層選自非晶硅單結薄膜電池層,非晶硅/非晶硅雙結薄膜電池層,非晶硅/非晶鍺化硅雙結薄膜電池層,非晶硅/微晶硅雙結薄膜電?池層、非晶硅/非晶鍺化硅/微晶硅三結薄膜電池層,銅銦鎵硒電池層、碲化鎘電池層中的任意一種,所述“/”表示兩層之間的界面。?
所述前板透光襯底層(a)和背板透光襯底層(f)均優選為鋼化玻璃層。?
與現有技術相比,本實用新型的優勢是:?
1、本申請的多色透光薄膜太陽能電池組件通過P2刻蝕區,增加P2刻蝕區的寬度來提高透光率。?
2、本申請的多色透光薄膜太陽能電池組件通過改變封裝層的材料或者是薄膜光電轉化層的材料來實現多色或者彩色,電池更美觀。?
3、本申請的P1/P2/P3劃線全部在電池死區內進行,不破壞電池結構,有效利用了有效區,電池效率高。?
附圖說明
圖1是整個多色透光薄膜太陽能電池組件的俯視平面圖,圖中I是非透明區域,II是透明區域;?
圖2描述的是圖1所述多色透光薄膜太陽能電池組件的局部剖面圖,P2區域為透光區域,向上的箭頭代表光透過的方向;?
圖3是多色透光薄膜太陽能電池組件的制備工藝流程圖。?
圖4是透光薄膜太陽能電池組件的電性能圖。?
其中a為前板透光襯底層,b為第一層透明導電氧化物層、c為薄膜光電轉化層,d為第二層透明導電氧化物層,e為封裝層,f為背板透光襯底層,1為P1刻蝕區,2為P2刻蝕區,3為P3刻蝕區,P1為激光第一次劃刻,P2為激光第二次劃刻,P3為激光第三次劃刻,h為有效區,g為死區。P1與P2,P3與P2的位置(間距)受設備精確度限制,一般情況下為50-150um。?
具體實施方式
下面根據表示本實用新型實施方式的附圖具體描述本實用新型的實施例。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





