[實用新型]一種低功耗功率管驅(qū)動電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320840167.X | 申請日： | 2013-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN203747634U | 公開（公告）日： | 2014-07-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張明星;王良坤;朱鐵柱;夏存寶;陳路鵬;黃武康 | 申請（專利權(quán)）人： | 嘉興中潤微電子有限公司 |
| 主分類號： | H02M1/088 | 分類號： | H02M1/088 |
| 代理公司： | 上海旭誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220 | 代理人： | 丁惠敏 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉興市凌公*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 功耗 功率管 驅(qū)動 電路 | ||
1.一種功率管驅(qū)動電路，所述功率管為N型DMOS管，其特征在于，包括多個N型MOS管MN0、MN1，P型MOS管MP0、MP1、MP2、MP3，電阻R1、R2、R3以及二極管D0、D1，其中?
所述P型MOS管MP0的源極通過所述電阻R1連接到電源VBB,所述P型MOS管MP1的源極通過所述電阻R2連接到所述電源VBB,所述P型MOS管MP2的源極通過所述電阻R3連接到所述電源VBB；?
所述N型MOS管MN0與所述P型MOS管MP3組成傳輸門，所述N型MOS管MN0的漏極與所述P型MOS管MP3的源極連接，所述N型MOS管MN0的源極與所述P型MOS管MP3的漏極連接；?
所述N型MOS管MN0的柵極與所述P型MOS管MP0的漏極連接，所述P型MOS管MP3的柵極與所述P型MOS管MP2的漏極連接；所述N型MOS管MN0的柵極與所述P型MOS管MP1的漏極連接；?
所述二極管D0跨接于所述N型MOS管MN0的柵極和源極之間，所述二極管D0的負極與所述N型MOS管MN0的柵極連接；所述二極管D1跨接于所述P型MOS管MP3，所述二極管D1的正極與所述P型MOS管MP3的柵極連接；?
所述N型MOS管MN1的漏極與所述P型MOS管MP0的漏極連接；所述N型MOS管MN1的源極與地電位GND連接；?
所述功率管驅(qū)動電路還包括數(shù)字控制信號CTL、數(shù)字控制信號CTL_P以及數(shù)字控制信號CTL_N，其中所述數(shù)字控制信號CTL_P與所述數(shù)字控制信號CTL同相，所述數(shù)字控制信號CTL_N與所述數(shù)字控制信號CTL信號反相；?
所述功率管驅(qū)動電路還包括將所述數(shù)字控制信號CTL通過電平轉(zhuǎn)換電路得到數(shù)字控制信號CTL_HP和數(shù)字控制信號CTL_HN信號，其中所述數(shù)字控制信號CTL_HP與所述數(shù)字控制信號CTL同相，所述數(shù)字控制信號CTL_HN與所述數(shù)字控制信號CTL信號反相，所述數(shù)字控制信號CTL_HN與所述數(shù)字控制信號CTL_HP在VBB-5V到VBB之間變化；?
所述數(shù)字控制信號CTL_P為所述N型MOS管MN1的輸入信號；所述數(shù)字控制信號CTL_HP為所述P型MOS管MP0的輸入信號,所述數(shù)字控制信號CTL_HN為所述P型MOS管MP1的輸入信號；?
所述P型MOS管MP3的源極與所述功率管的柵極連接，所述P型MOS管MP3的漏極與所述功率管的源極連接。?
2.如權(quán)利要求1所述的功率管驅(qū)動電路，其特征在于，所述功率管驅(qū)動電路還包括P型MOS管MP4、N型MOS管MN2、N型MOS管MN3、N型MOS管MN6和二極管D2，其中?
所述P型MOS管MP4的源極與所述P型MOS管MP3的柵極連接，所述P型MOS管MP4的漏極與所述N型MOS管MN2的漏極連接，所述P型MOS管MP4的柵極與所述N型MOS管MN3的漏極連接，所述二極管D2跨接于所述P型MOS管MP4的源極和柵極之間，所述二極管D2的正極與所述P型MOS管MP4的柵極連接；?
所述N型MOS管MN2的源極與所述地電位GND連接；?
所述N型MOS管MN3的源極與所述P型MOS管MP6的漏極連接；?
所述N型MOS管MN6的源極與地電位GND連接；?
所述數(shù)字控制信號CTL_N為所述N型MOS管MN2的柵極和所述N型MOS管MN3的柵極的輸入信號。?
3.如權(quán)利要求2所述的功率管驅(qū)動電路，其特征在于，所述功率管驅(qū)動電路還包括N型MOS管MN4和N型MOS管MN5，其中?
所述N型MOS管MN5跨接于所述N型MOS管MN1與所述地電位GND之間，所述N型MOS管MN5的漏極與所述N型MOS管MN1的源極連接，所述N型MOS管MN5的源極與所述地電位GND連接，所述N型MOS管MN5的柵極與所述N型MOS管MN4的柵極連接，所述N型MOS管MN5的柵極與所述N型MOS管MN6的柵極連接；?
所述N型MOS管MN4的柵極與漏極連接，所述N型MOS管MN4的源極與所述地電位GND連接；?
所述偏置電壓BIAS為所述N型MOS管MN4的柵極的輸入信號。?
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
