[實用新型]一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器有效
| 申請號： | 201320837941.1 | 申請日： | 2013-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN203688742U | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發明（設計）人： | 趙丹;顏友鈞;鄭鈺 | 申請（專利權）人： | 江蘇瑞新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232 | 代理人： | 何蔚 |
| 地址： | 215123 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 類型 接觸 測試 傳感器 | ||
1.一種半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，包括殼體以及設置于所述殼體內部的以下機構：電荷感應電極，所述電荷感應電極上開設有透光孔并設置有一個電極引線，所述電極引線一端延伸出所述殼體外，用于采集下述光生電荷并生成相應的電壓信號；
紅外激發二極管，所述紅外激發二極管設置于所述透光孔中并設置有兩個紅外激發二極管引線，所述紅外激發二極管引線焊接端延伸出所述殼體外，用于通電發光激發半導體產生微弱的光生電荷；
絕緣定位件，所述電荷感應電極設置于所述絕緣定位件上；
所述殼體內還密封有絕緣填料。
2.根據權利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述殼體為中空圓柱體。
3.根據權利要求2所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述殼體為不銹鋼中空圓柱體。
4.根據權利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述電荷感應電極為圓環狀。
5.根據權利要求4所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述電荷感應電極的透光孔直徑為4～6mm。
6.根據權利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述絕緣定位件為聚四氟乙烯圓柱體。
7.根據權利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，所述絕緣填料為環氧樹脂或硅膠。
8.根據權利要求1所述的半導體P、N類型非接觸測試傳感器，其特征在于，還包括與所述殼體連接的接地引線。
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