[實用新型]一種串聯電阻法相電流檢測電路有效
| 申請號： | 201320837817.5 | 申請日： | 2013-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN203827233U | 公開（公告）日： | 2014-09-10 |
| 發明（設計）人： | 張明星;王良坤;朱鐵柱;夏存寶;陳路鵬;黃武康 | 申請（專利權）人： | 嘉興中潤微電子有限公司 |
| 主分類號： | H02P8/34 | 分類號： | H02P8/34;H02P8/12 |
| 代理公司： | 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220 | 代理人： | 丁惠敏 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉興市凌公*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 串聯 電阻 法相 電流 檢測 電路 | ||
1.一種串聯電阻法相電流檢測電路，其特征在于，包括輸入端VBI、VSEN、VREF和輸出端VOUT，所述串聯電阻法相電流檢測電路包括多個P型MOS管MP0、MP2、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9，N型MOS管MN0，電阻R0、R1、R2，晶體管Q1、Q2和比較器，其中?
所述P型MOS管MP0、MP2、MP2、MP3、MP4、MP5組成共源共柵電流鏡；?
所述P型MOS管MP0、MP2、MP4的柵極連接在一起，所述P型MOS管MP0、MP2、MP4的源極與電源VDD連接，所述P型MOS管MP0的柵極與所述P型MOS管MP1的漏極連接；?
所述P型MOS管MP0的漏極與所述P型MOS管MP1的源極連接，所述P型MOS管MP2的漏極與所述P型MOS管MP3的源極連接，所述P型MOS管MP4的漏極與所述P型MOS管MP5的源極連接；?
所述P型MOS管MP1、MP3、MP5的柵極連接在一起，所述P型MOS管MP1的漏極經由所述電阻R0連接到所述輸入端VBI，所述P型MOS管MP1的柵極與所述輸入端VBI連接；?
所述P型MOS管MP3的漏極與所述晶體管Q1的集電極連接，所述晶體管Q1的發射極經由電阻R1與所述輸入端VSEN連接；?
所述P型MOS管MP5的漏極與所述晶體管Q2的集電極連接，所述晶體管Q2的發射極經由電阻R2與地連接；?
所述晶體管Q1、Q2的基極連接；?
所述N型MOS管MN0的漏極與所述電源VDD連接，所述N型MOS管MN0的柵極與所述P型MOS管MP3的漏極連接，所述N型MOS管MN0的源極與所述晶體管Q1的基極連接；?
所述P型MOS管MP6與所述P型MOS管MP7組成反饋回路；?
所述P型MOS管MP6的源極與所述電源VDD連接，所述P型MOS管MP6的漏極與所述P型MOS管MP7的源極連接，所述P型MOS管MP7的漏極與所述晶體管Q2的發射極連接，所述P型MOS管MP7的柵極所述晶體管Q2的集電極連接；?
所述P型MOS管MP6和所述P型MOS管MP7，與所述P型MOS管MP8和所述P型MOS管MP9組成共源共柵電流鏡；?
所述P型MOS管MP8的源極與所述電源VDD連接，所述P型MOS管MP8與所述P型MOS管MP6的柵極連接，所述P型MOS管MP8的漏極與所述P型MOS管MP9的源極連接；?
所述P型MOS管MP9的柵極與所述P型MOS管MP7的柵極連接；所述P型MOS管MP9的漏極連接與所述比較器的正相輸入端連接；?
所述輸入端VREF與所述比較器的反相輸入端連接；?
所述輸出端VOUT與所述比較器的輸出連接；?
所述串聯電阻法相電流檢測電路還包括由MOS管開關的電阻陣列，所述由MOS管開關的電阻陣列串聯到所述P型MOS管MP9的漏極。?
2.如權利要求1所述的串聯電阻法相電流檢測電路，其特征在于，所述由MOS管開關的電阻陣列包括電阻陣列和開關陣列。?
3.如權利要求2所述的串聯電阻法相電流檢測電路，其特征在于，所述電阻陣列包括串聯的電阻R3、R4、…、RN+2。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于嘉興中潤微電子有限公司，未經嘉興中潤微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320837817.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
