[實用新型]一種扇形結構的LED芯片

有效

• 申請號: 201320825980.X
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN203800071U
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 鄒軍
• 申請（專利權）人: 浙江億米光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/64
• 代理公司: 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 31227
• 代理人: 周兵

1.一種扇形結構的LED芯片，包括基板層、焊片層、芯片層以及散熱透光層，基板層位于最底層，焊片層設置在基板層與該芯片層之間，散熱透光層覆蓋在芯片層上；其特征在于：?

所述基板層整體呈圓盤狀，在基板層的圓盤面上布置有若干個正負極區域；正負極區域整體呈扇形，正負極區域一分為二成兩個形狀和面積完全相同的扇形，分別為正極區域和負極區域；若干個正負極區域均以圓盤面的圓心為圓心順序布滿在基板層的圓盤面上，若干個正極區域與負極區域呈間隔排列；?

所述焊片層包括若干個子焊片，每一個子焊片都唯一對應一個正極區域或者負極區域；?

所述芯片層包括若干個PN結，PN結整體呈扇形，PN結一分為二成兩個形狀和面積完全相同的扇形，分別為正極部分和負極部分；每一個正極部分的扇形形狀以及扇形面積與所述基板層的正極區域相同，且一個正極部分通過一個子焊片唯一對應地連接在一個正極區域上；每一個負極部分的扇形形狀以及扇形面積與所述基板層的負極區域相同，且一個負極部分通過一個子焊片唯一對應地連接在一個負極區域上；?

位于正極部分和正極區域之間的子焊片與位于負極部分和負極區域之間的子焊片不接觸；?

所述PN結之間串聯連接，所述散熱透光層由具有散熱透光的材料制成。?

2.如權利要求1所述的一種扇形結構的LED芯片，其特征在于：所述基板層由陶瓷或者金屬材料制成，其頂面上鍍有金或者銀層，金或者銀層的厚度在0.05-0.1mm之間。?

3.如權利要求1所述的一種扇形結構的LED芯片，其特征在于：所述焊片層為共晶焊片層，所述共晶焊片層為AuSn合金，其中Au的質量百分比為30％-70％，所述共晶焊片層的厚度在0.05-0.15mm之間。?

4.如權利要求1所述的一種扇形結構的LED芯片，其特征在于：所述焊片層為共晶焊片層，所述共晶焊片層為AuSnAg合金，其中Au、Ag的總?體質量百分比為30％-70％，Au與Ag之間的質量比例在1：1至1：5之間，所述共晶焊片層的厚度在0.05-0.15mm之間。?

5.如權利要求1所述的一種扇形結構的LED芯片，其特征在于：所述每一個正極區域、負極區域、正極部分、負極部分以及子焊片整體都呈扇形，其中，正極區域、負極區域、正極部分、負極部分的扇形形狀以及扇形面積相同，子焊片的扇形形狀以及扇形面積小于正極區域、負極區域、正極部分、負極部分的扇形形狀以及扇形面積。?

6.如權利要求1所述的一種扇形結構的LED芯片，其特征在于：所述散熱透光層由熒光透明陶瓷制成，熒光透明陶瓷為釔鋁石榴石透明陶瓷片。?

7.如權利要求1至6中任意一項權利要求所述的一種扇形結構的LED芯片，其特征在于：在所述基板層的圓盤面上布置有四個正負極區域，組成一個正負極區域的正極區域和負極區域的扇形面積為該基板層圓盤面面積的1/8；所述焊片層包括八個子焊片，所述芯片層包括四個PN結，組成一個PN結的正極部分以及負極部分的扇形面積為基板層圓面積的1/8。?