[實用新型]圓形六角密排多像素光子計數器有效
| 申請號: | 201320817286.3 | 申請日: | 2013-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN203745087U | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發明(設計)人: | 張國青;劉麗娜;朱長軍 | 申請(專利權)人: | 西安工程大學 |
| 主分類號: | G01J11/00 | 分類號: | G01J11/00 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 羅笛 |
| 地址: | 710048 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圓形 六角 密排多 像素 光子 計數器 | ||
1.圓形六角密排多像素光子計數器,其特征在于,包括有光子計數器本體,所述光子計數器本體上設置有若干個圓形APD單元(10),所述若干個圓形APD單元(10)呈多行多列交錯排列,所述若干圓形APD單元(10)之間并聯,所述若干個圓形APD單元(10)都與一個負載連接。?
2.根據權利要求1所述的圓形六角密排多像素光子計數器,其特征在于,所述光子計數器本體,自上而下依次設置有SiO2鈍化層(2)、高摻雜層(3)、外延層(4)及襯底層(8),所述SiO2鈍化層(2)的上部邊緣設置有電極(1),所述外延層(4)內靠近高摻雜層(3)處設置有多個富摻雜區(5),每個富摻雜區(5)的下部與所述襯底層(8)之間設置有體電阻區(6),相鄰的兩個體電阻區(6)之間設置有耗盡隔離區(7),所述襯底層(8)的下部設置有背電極(9)。?
3.根據權利要求2所述的圓形六角密排多像素光子計數器,其特征在于,所述襯底層(8)為摻雜的硅單晶片,硅單晶片的摻雜類型為N型或P型;?
所述外延層(4)為摻雜的硅單晶片,硅單晶片摻雜類型為N型或P型。?
4.根據權利要求1所述的圓形六角密排多像素光子計數器,其特征在于,所述電極(1)和所述背電極(9)均為金屬膜或透明導電膜。?
5.根據權利要求4所述的圓形六角密排多像素光子計數器,其特?征在于,所述金屬膜為銀膜、金膜、鋁膜或鈦膜。?
6.根據權利要求4所述的圓形六角密排多像素光子計數器,其特征在于,所述透明導電膜為ITO薄膜。?
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