[實用新型]帶有電源檢控功能的RC復(fù)位電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320811528.8
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN203590184U
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾利民
• 申請（專利權(quán)）人: 青島歌爾聲學(xué)科技有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22
• 代理公司: 濰坊正信專利事務(wù)所 37216
• 代理人: 王紀(jì)辰

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及RC復(fù)位電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種帶有電源檢控功能的RC復(fù)位電路。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中RC復(fù)位電路如圖1所示，包括RC電路和復(fù)位電源RESET_3V3，該RC電路包括并聯(lián)的電阻R1、電容C2和二極管D1，上述三個元件并聯(lián)后的一端接電源PWR_3V3，另一端分別接電容C1和復(fù)位輸入端RESET_IN，電容C1的另一端接地。現(xiàn)有的RC復(fù)位電路主要是電源PWR_3V3直接通過RC電路充電實現(xiàn)對需要復(fù)位的系統(tǒng)的延時復(fù)位。由于現(xiàn)有的RC復(fù)位電路不具備對電源電壓檢測并控制處理的功能，因此當(dāng)電源PWR_3V3上電初期還不穩(wěn)定時，電容C1充電后，復(fù)位輸入端RESET_IN電壓升高，需要復(fù)位的系統(tǒng)復(fù)位；而且需要復(fù)位的系統(tǒng)的外圍電路狀態(tài)也不穩(wěn)定，在這種情況下系統(tǒng)很容易引起工作混亂，使系統(tǒng)的穩(wěn)定性降低，造成不必要的損失。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于提供一種帶有電源檢控功能的RC復(fù)位電路，該RC復(fù)位電路設(shè)有電源檢控電路，該電源檢控電路能夠檢測出電源的電壓，當(dāng)電源不穩(wěn)定時控制復(fù)位輸入端禁止動作，當(dāng)電源穩(wěn)定后允許復(fù)位輸入端動作。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的技術(shù)方案是：一種帶有電源檢控功能的RC復(fù)位電路包括RC電路和電源，所述RC電路包括并聯(lián)的電阻R1、電容C2和二極管D1，且并聯(lián)后的一端接所述電源，另一端分別接電容C1和復(fù)位輸入端，所述電容C1的另一端接地，在所述RC電路和所述電源之間接入電源檢控電路，所述電源檢控電路設(shè)有總輸入端和總輸出端，所述總輸入端與所述電源電連接，所述總輸出端與所述RC電路電連接，所述電源檢控電路用于檢測所述電源的電壓，并根據(jù)該電壓導(dǎo)通或截止所述電源。

優(yōu)選方式為，所述電源檢控電路包括一級開關(guān)元件和二級開關(guān)元件，所述一級開關(guān)元件設(shè)有一級控制端、一級輸入端和一級輸出端，所述一級控制端與電阻R4的一端電連接，所述電阻R4的另一端分別與電阻R5和電阻R3的一端電連接，所述電阻R5的另一端為所述總輸入端，所述電阻R3的另一端接地；所述一級輸入端經(jīng)電阻R20接地；所述一級輸出端經(jīng)電阻R2與所述總輸入端電連接；所述二級開關(guān)元件設(shè)有二級控制端、二級輸入端和二級輸出端，所述二級控制端與所述一級輸出端電連接；所述二級輸入端與所述總輸入端電連接，所述二級輸出端為所述總輸出端；所述一級開關(guān)元件用于控制所述二級開關(guān)元件導(dǎo)通或截止。

優(yōu)選方式為，所述電阻R20阻值為0，所述電阻R2阻值大于0。

優(yōu)選方式為，所述電阻R20阻值大于0，所述電阻R2阻值為0。

優(yōu)選方式為，所述一級開關(guān)元件為NPN型三極管，基極為所述一級控制端，發(fā)射極為所述一級輸入端，集電極為所述一級輸出端；所述二級開關(guān)元件為PMOS型場效應(yīng)管，柵極為所述二級控制端，源極為所述二級輸入端，漏極為所述二級輸出端。

優(yōu)選方式為，所述一級開關(guān)元件為PNP型三極管，基極為所述一級控制端，集電極為所述一級輸入端，發(fā)射極為所述一級輸出端；所述二級開關(guān)元件為NMOS型場效應(yīng)管，柵極為所述二級控制端，源極為所述二級輸入端，漏極為所述二級輸出端。

優(yōu)選方式為，所述一級開關(guān)元件為NPN型三極管，基極為所述一級控制端，發(fā)射極為所述一級輸入端，集電極為所述一級輸出端；所述二級開關(guān)元件為NMOS型場效應(yīng)管，柵極為所述二級控制端，源極為所述二級輸入端，漏極為所述二級輸出端。

優(yōu)選方式為，所述一級開關(guān)元件為PNP型三極管，基極為所述一級控制端，集電極為所述一級輸入端，發(fā)射極為所述一級輸出端；所述二級開關(guān)元件為PMOS型場效應(yīng)管，柵極為所述二級控制端，源極為所述二級輸入端，漏極為所述二級輸出端。

優(yōu)選方式為，所述電阻R1為200KΩ,所述電容C1為4.7uF/6.3V,所述電容C2為0.01uF/6.3V，所述電阻R2為4.7KΩ,所述電阻R3為5.6KΩ，所述電阻R4為1KΩ，所述電阻R5為27KΩ。