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[實用新型]一種應用于大功率電機驅動芯片的過流保護檢測電路有效

專利信息
申請號: 201320784916.1 申請日: 2013-12-02
公開(公告)號: CN203983941U 公開(公告)日: 2014-12-03
發明(設計)人: 陳路鵬;王良坤;朱鐵柱;張明星;夏存寶;黃武康 申請(專利權)人: 嘉興中潤微電子有限公司
主分類號: H02H3/08 分類號: H02H3/08;G01R19/00
代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220 代理人: 丁惠敏
地址: 314006 浙江省嘉興市凌公*** 國省代碼: 浙江;33
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 應用于 大功率 電機 驅動 芯片 保護 檢測 電路
【說明書】:

技術領域

實用新型涉及一種電機驅動芯片的過流保護檢測電路,尤其涉及一種在高壓大功率的電機驅動芯片的過流保護檢測電路。?

背景技術

在電極驅動應用中,為了提高電機的輸出功率,要求流過電機馬達線圈的電流足夠大,這就要求電機的驅動電路有足夠的驅動能力,能夠為電機提供足夠的驅動電流。在增大了驅動電流的同時,還要注意電機的安全工作電流限制,這就對電路的過載電流提出了限制,因此需要對通過電機的電流峰值進行監測;在驅動電路內部,設計一個過流保護模塊,同步檢測流過電機的上升電流,設定一個安全工作閾值,使得流過電機的電流超過這個預設的閾值時,能夠自動啟動過流保護功能,避免電機的過熱損毀。?

電機的馬達需要的額定電流通常較大,一般大于1A,太大的電流不容易進行處理,技術難度很大。一般的做法是通過一個采樣器件將大的電流采樣等比例縮小后,再處理這個小的采樣電流。對此采樣電流的處理不外乎兩個方式,一個是直接進行電流的比較,將采樣電流與一個精密的基準電流作對比,共同輸入一個電流比較器,當充電的電流上限到來,峰值電流超過了基準電流,使得比較器翻轉,其輸出提供給控制模塊,控制電機驅動電路停止給電機充電。另一個方式是首先進行電流電壓的轉化,采樣電流流過電阻后轉化為電壓,此電壓同基準電壓進行比較,比較輸出送給控制模塊,關斷電機驅動電路。?

因此,本領域的技術人員致力于開發一種新型的電流采樣檢測電路,采用采樣電流與基準電流直接比較的方式,實現在電流充電過程中的過流關斷保護。?

實用新型內容

有鑒于現有技術的上述缺陷,本實用新型所要解決的技術問題是提供一種應用于大功率電機驅動芯片的過流保護檢測電路。?

為實現上述目的,本實用新型提供了一種應用于大功率電機驅動芯片的過流保護檢測電路,其特征在于,包括MOSFET管、電流采樣管MII、MOS管M6、電流源Itrip、電壓比較器VC和電流比較器IC;?

所述MOSFET管MI的源極與電機電源電壓VBB連接,柵極與所述電流采樣管MII的柵極連接在一起;漏極分別與所述電壓比較器VC的輸入端和所述電流源?Itrip的輸入端連接;?

所述電流采樣管MII的源極與所述電機電源電壓VBB連接,柵極與所述MOSFET管MI的柵極連接,漏極分別與所述電壓比較器VC的輸入端和所述MOS管M6的漏極連接;?

所述電壓比較器VC的輸出端IN分別與所述MOS管M6的柵極和所述電流比較器IC的輸入端連接;?

所述電流源Itrip是所述電機的線圈電流;?

所述MOS管M6的源極直接與地相連;?

所述電流比較器IC的輸入端輸入基準電流Iref。?

在本實用新型的一個較佳實施例中,所述過流保護電路還包括MOSFET管M3和MOSFET管M4;增加的MOSFET管M3和M4保證了MOSFET管MI和電流采樣管MII在關斷是能夠快速徹底關斷,避免出現關斷后靜態電流仍然較大的問題。?

所述MOSFET管M3的柵極與所述MOSFET管的柵極相連,所述MOSFET管M3的源極分別與所述電機電源電壓VBB和所述MOSFET管MI的柵極連接,所述MOSFET管M3的漏極分別與所述電壓比較器VC的負相輸入端和所述MOSFET管MI的漏極連接;?

所述MOSFET管M4的源極分別與所述電機電源電壓VDD和所述MOSFET管MII的柵極連接,所述MOSFET管M4漏極分別與所述電壓比較器VC的輸入端和所述功率MOSFET管MI的漏極連接。?

在本實用新型的一個較佳實施例中,所述過流保護電路還包括MOS管M5,所述MOS管M5連接在所述電流采樣管MII的漏極與所述MOS管M6的漏極之間,所述MOS管M5的漏極與所述電流采樣管MII的漏極連接,源極與所述MOS管M6的漏極連接,鉗位電壓VREG接入所述MOS管M5的柵極。?

進一步地,所述電壓比較器VC包括若干MOSFET管、若干MOS管、三極管Q1和三極管Q2;?

所述電壓比較器VC的輸入信號輸入到所述三極管Q1的基極,負相輸入信號輸入到所述三極管Q2的基極;所述電壓比較器VC的輸出端位于MOS管M24和MOS管M21的漏極之間;?

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