[實用新型]一種基于電容結構的HEMT柵泄漏電流分離結構有效
| 申請號： | 201320766525.7 | 申請日： | 2013-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN203733810U | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 鄭雪峰;范爽;郝躍;王沖;孫偉偉 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/92 | 分類號： | H01L29/92;H01L23/544;G01R19/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710071 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 電容 結構 hemt 泄漏 電流 分離 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于電容結構的HEMT柵泄漏電流分離結構，其特征在于，包括具有不同面積的兩個環形肖特基柵電容：第一個肖特基電容和第二個肖特基電容；?
每個電容為兩端結構，包含一個括柵電極和一個歐姆電極；?
第二個肖特基電容，其肖特基柵為中間部分沒有淀積柵金屬的環形，柵的外環半徑與第一個肖特基電容的半徑相等，內環半徑為第一個肖特基電容的半徑的0.707倍；?
兩個肖特基電容的柵極-歐姆電極之間的距離相同。?
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