[實(shí)用新型]一種圓片級(jí)硅通孔內(nèi)的封裝結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320742912.7
• 申請(qǐng)日: 2013-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN203589033U
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳棟;胡正勛;張黎;陳錦輝;賴志明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 彭英

1.一種圓片級(jí)硅通孔內(nèi)的封裝結(jié)構(gòu)，包括表層嵌置芯片電極（200）的硅基本體（100），在所述硅基本體（100）的芯片電極（200）下方設(shè)置硅通孔（110），所述硅通孔（110）的頂部為芯片電極（200）的下表面，所述硅通孔（110）的內(nèi)壁設(shè)置絕緣層（310），所述絕緣層（310）沿硅通孔（110）的內(nèi)壁向硅通孔（110）外延展，?

其特征在于：所述絕緣層（310）的表面設(shè)置結(jié)構(gòu)保護(hù)層（320），在所述硅通孔（110）內(nèi)的芯片電極（200）下方開設(shè)先后貫穿結(jié)構(gòu)保護(hù)層（320）、絕緣層（310）的微孔（301），在所述結(jié)構(gòu)保護(hù)層（320）上選擇性地設(shè)置金屬線路層（400），所述金屬線路層（400）通過(guò)微孔（301）與芯片電極（200）實(shí)現(xiàn)電氣連通，所述金屬線路層（400）的表面設(shè)置線路保護(hù)層（500）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓片級(jí)硅通孔內(nèi)的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)構(gòu)保護(hù)層（320）沿絕緣層（310）分布，且其延展面積不小于絕緣層（310）的延展面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓片級(jí)硅通孔內(nèi)的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述微孔（301）的橫截面尺寸小于芯片電極（200）的橫截面尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一種所述的圓片級(jí)硅通孔內(nèi)的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述微孔（301）在芯片電極（200）下方先后貫穿結(jié)構(gòu)保護(hù)層（320）、絕緣層（310）和芯片電極（200）。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一種所述的圓片級(jí)硅通孔內(nèi)的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：在硅通孔（110）內(nèi)，所述硅通孔（110）、結(jié)構(gòu)保護(hù)層（320）、絕緣層（310）、微孔（301）的對(duì)稱軸線分別與芯片電極（200）的縱向中心線重合。

6.一種圓片級(jí)圖像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，包括表層嵌置若干個(gè)芯片電極（200）的硅基本體（100），所述硅基本體（100）的上表面的中央設(shè)置芯片感應(yīng)區(qū)（800），所述芯片感應(yīng)區(qū)（800）的周邊設(shè)置上下中空的隔離層（600），所述隔離層（600）上設(shè)置蓋板（700），所述蓋板（700）與隔離層（600）在硅基本體（100）的上表面形成容納芯片感應(yīng)區(qū)（800）的空腔（610），在所述硅基本體（100）的芯片電極（200）下方設(shè)置硅通孔（110），

其特征在于：所述硅通孔（110）采用如權(quán)利要求1至5中任一種圓片級(jí)硅通孔內(nèi)的封裝結(jié)構(gòu)，所述絕緣層（310）、結(jié)構(gòu)保護(hù)層（320）和金屬線路層（400）依次延展至硅基本體（100）的下側(cè)，所述絕緣層（310）與金屬線路層（400）之間為所述結(jié)構(gòu)保護(hù)層（320），所述金屬線路層（400）的終端設(shè)置線路保護(hù)層開口（511）。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圓片級(jí)圖像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述線路保護(hù)層開口（511）內(nèi)設(shè)置焊球（900）。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圓片級(jí)圖像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述蓋板（700）為玻璃或硅片。

9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一種所述的圓片級(jí)圖像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述隔離層（600）設(shè)置于芯片電極（200）的上方。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圓片級(jí)圖像傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述微孔（301）在芯片電極（200）下方先后貫穿結(jié)構(gòu)保護(hù)層（320）、絕緣層（310）和芯片電極（200），直達(dá)隔離層（600）的內(nèi)部。