[實用新型]晶體硅太陽能電池的薄膜鈍化結構有效
| 申請號： | 201320741182.9 | 申請日： | 2013-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN203562433U | 公開（公告）日： | 2014-04-23 |
| 發明（設計）人： | 盛健;張淳 | 申請（專利權）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 常州市科誼專利代理事務所 32225 | 代理人： | 孫彬 |
| 地址： | 213022 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體 太陽能電池 薄膜 鈍化 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體硅太陽能電池的薄膜鈍化結構，其特征在于：它包括SiNx薄膜層（1）、三氧化二鋁薄膜層（2）和生長在硅片襯底（5）正面或背面的P型摻雜層上的二氧化硅薄膜層（3），三氧化二鋁薄膜層（2）生長在二氧化硅薄膜層（3）的外表面上，SiNx薄膜層（1）生長在三氧化二鋁薄膜層（2）的外表面上。
2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的薄膜鈍化結構，其特征在于：所述的SiNx薄膜層（1）的折射率為1.9~2.4，三氧化二鋁薄膜層（2）的折射率為1.55~1.65，二氧化硅薄膜層（3）的折射率為1.4~1.5。
3.根據權利要求1或2所述的晶體硅太陽能電池的薄膜鈍化結構，其特征在于：所述的SiNx薄膜層（1）的厚度為20mm~150mm。
4.根據權利要求1或2所述的晶體硅太陽能電池的薄膜鈍化結構，其特征在于：所述的三氧化二鋁薄膜層（2）的厚度為3nm~50nm。
5.根據權利要求1或2所述的晶體硅太陽能電池的薄膜鈍化結構，其特征在于：所述的二氧化硅薄膜層（3）的厚度h為0＜h＜50nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
