[實用新型]一種用于單粒子激光脈沖試驗的功率VDMOS器件有效
| 申請號： | 201320739599.1 | 申請日： | 2013-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN203588990U | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發明（設計）人： | 高博;丁凱凱;劉剛;王立新;韓鄭生;張彥飛;孫博韜 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L23/04 | 分類號： | H01L23/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 劉杰 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 粒子 激光 脈沖 試驗 功率 vdmos 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于單粒子激光脈沖試驗的功率VDMOS器件；其特征在于，包括：VDMOS芯片以及表貼管殼；所述VDMOS芯片封裝在所述表貼管殼內；在所述表貼管殼背面，對應VDMOS芯片漏極位置設置通孔。
2.如權利要求1所述的用于單粒子激光脈沖試驗的功率VDMOS器件，其特征在于：所述通孔的直徑范圍是2～4mm。
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