[實用新型]氣相蝕刻裝置有效
| 申請號： | 201320731984.1 | 申請日： | 2013-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN203674177U | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 陳文淇 | 申請（專利權）人： | 合晶科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 趙蓉民 |
| 地址： | 中國臺灣桃園縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種氣相蝕刻裝置，用以對待處理晶圓的邊緣進行蝕刻，其特征在于，該氣相蝕刻裝置包含：
座體，具有環狀出氣口；
承載平臺，設置于該座體上且被該環狀出氣口環繞，具有用以承載上述待處理晶圓且外緣位于上述待處理晶圓的邊緣之內的第一頂面；以及
環狀導氣墻，設置于該座體上，并環繞于該環狀出氣口之外，具有內緣位于上述待處理晶圓的邊緣之外的第二頂面；
其中該第一頂面相對該座體具有第一高度，該第二頂面相對該座體具有第二高度，并且該第二高度為該第一高度的0.5～1.5倍。
2.根據權利要求1所述的氣相蝕刻裝置，其特征在于，其中該第二高度與該第一高度相等。
3.根據權利要求1所述的氣相蝕刻裝置，其特征在于，其中該環狀出氣口等距地環繞于該承載平臺之外。
4.根據權利要求1所述的氣相蝕刻裝置，其特征在于，其中該環狀導氣墻等距地環繞于該環狀出氣口之外。
5.根據權利要求1所述的氣相蝕刻裝置，其特征在于，其中該環狀導氣墻的內壁垂直于該座體。
6.根據權利要求1所述的氣相蝕刻裝置，其特征在于，其中該環狀導氣墻的內壁由下向上朝向該承載平臺傾斜。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
