[實用新型]一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排有效
| 申請號： | 201320699559.9 | 申請日： | 2013-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN203562212U | 公開（公告）日： | 2014-04-23 |
| 發明（設計）人： | 賀之淵;徐龍澤;屈海濤;李云鵬;欒洪洲 | 申請（專利權）人： | 國家電網公司;國網智能電網研究院;中電普瑞電力工程有限公司;國網遼寧省電力有限公司大連供電公司 |
| 主分類號： | H01B5/02 | 分類號： | H01B5/02;H01B7/02;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國文 |
| 地址： | 100031 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適用于 igbt 電壓 換流 單元 低感母排 | ||
【權利要求書】：
1.一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，所述低感母排包括復合絕緣母排，其特征在于：所述低感母排包括同所述復合絕緣母排適配的U型短接母排；所述U型短接母排的兩極分別與一個IGBT的對應端連接，實現兩個IGBT短接。
2.如權利要求1所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于：所述復合絕緣母排包括直角彎段和平行段。
3.如權利要求2所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于：所述直角轉彎段的弧度為半徑6mm以下。
4.如權利要求3所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于：所述復合絕緣母排通過另一端其設置的直角彎段與電容器端子連接。
5.如權利要求2所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于：所述平行段外部設有噴覆式絕緣層；所述絕緣層厚度為2mm以下。
6.如權利要求3所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于：所述直角彎段的內弧度為半徑為6mm以下。
7.如權利要求5所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于：所述絕緣層厚度為2mm。
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