[實用新型]一種軟軸提拉型單晶爐

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320678696.4
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN203639604U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周建達
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江歐寶能源有限公司
• 主分類號: C30B27/02
• 分類號: C30B27/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種單晶爐，具體涉及一種軟軸提拉型單晶爐。

背景技術(shù)

太陽電池單晶硅錠生產(chǎn)技術(shù)主要有切克勞斯基法（CZ法）與區(qū)熔法（FZ法），區(qū)熔法（FZ法）由于硅中雜質(zhì)的分凝效應(yīng)和蒸發(fā)效應(yīng)，可獲得高純單晶硅，但液固相轉(zhuǎn)變溫度高，能耗大，多次區(qū)熔提純成本高。CZ法是利用旋轉(zhuǎn)著的籽晶從坩堝中的熔體中提拉制備出單晶的方法，又稱直拉法。目前國內(nèi)太陽電池單晶硅硅片生產(chǎn)廠家大多采用這種技術(shù)，當將多晶硅硅料置于坩堝中經(jīng)加熱熔化，待溫度合適后，經(jīng)過將籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾等步驟，完成一根單晶硅錠的拉制。在自然空氣的環(huán)境下，爐內(nèi)的傳熱、傳質(zhì)、流體力學、化學反應(yīng)等過程都直接影響到單晶的生長及生長成的單晶的質(zhì)量，因此需要對現(xiàn)有的單晶爐進行改進。

實用新型內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術(shù)問題便是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種軟軸提拉型單晶爐，本實用新型利用惰性氣體的保護環(huán)境，以石墨電阻加熱器，將多晶硅材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶棒。

本實用新型所采用的技術(shù)方案是：一種軟軸提拉型單晶爐,包括爐體、提拉裝置、軟軸、坩堝和籽晶軸，所述的軟軸上端連接提拉裝置，所述的提拉裝置固定設(shè)置在籽晶軸上，所述的籽晶軸通過齒輪連接電機，所述的軟軸下端連接有籽晶夾持器，所述的爐體上端分別設(shè)置有保護氣進口和真空抽氣口，所述的爐體下端設(shè)置有石墨托，所述的坩堝放置于石墨托上，所述的石墨托下端固定連接有坩堝軸，所述的爐體設(shè)置有加熱器。

所述的爐體下端設(shè)置有排氣口。

所述的爐體外側(cè)設(shè)置有保溫層。

所述的爐體一側(cè)還設(shè)置有光學直徑測量裝置。

所述的加熱器為石墨加熱器。

所述加熱器的兩端的電極分別連接有石墨電極。

本實用新型利用惰性氣體（氬氣）的保護環(huán)境，以石墨電阻加熱器，將多晶硅材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶棒。

附圖說明

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、爐體；2、提拉裝置；3、軟軸；4、坩堝；5、籽晶夾持器；6、保護氣進口；7、真空抽氣口；8、石墨托；9、加熱器；10、籽晶軸；11、電機；12、坩堝軸；13、排氣口；14、光學直徑測量裝置。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖，并結(jié)合實施例，對本實用新型做進一步的說明。

如圖1所示，本實施例的一種軟軸提拉型單晶爐,包括爐體1、提拉裝置2、軟軸3、坩堝4和籽晶軸10，所述的軟軸3上端連接提拉裝置2，所述的提拉裝置2固定設(shè)置在籽晶軸10上，所述的籽晶軸10通過齒輪連接電機11，所述的軟軸3下端連接有籽晶夾持器5，所述的爐體1上端分別設(shè)置有保護氣進口6和真空抽氣口7，所述的爐體1下端設(shè)置有石墨托8，所述的坩堝4放置于石墨托8上，所述的石墨托8下端固定連接有坩堝軸12，所述的爐體1設(shè)置有加熱器9。

所述的爐體1下端設(shè)置有排氣口13。

所述的爐體1外側(cè)設(shè)置有保溫層。

所述的爐體1一側(cè)還設(shè)置有光學直徑測量裝置14。

所述的加熱器9為石墨加熱器。

所述加熱器9的兩端的電極分別連接有石墨電極。

本實用新型在工作時，將真空抽氣口7連接抽氣泵抽真空，同時在保護氣進口6充入惰性氣體（氬氣），然后將多晶硅硅料置于坩堝4中經(jīng)加熱熔化，待溫度合適后，經(jīng)過將籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾等步驟，完成一根單晶硅錠的拉制。

本實用新型利用惰性氣體（氬氣）的保護環(huán)境，以石墨電阻加熱器9，將多晶硅材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶棒。