[實用新型]橫向高壓半導(dǎo)體器件及其多階場板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320598229.0
• 申請日: 2013-09-26
• 公開（公告）號: CN203481244U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 潘光燃;石金成;高振杰;文燕;王焜
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種應(yīng)用于橫向高壓半導(dǎo)體器件的多階場板，所述橫向高壓半導(dǎo)體器件包括源極、位于所述源極上方的柵氧化層、場氧化層和漏極，所述多階場板包括多晶硅場板，所述多晶硅場板包括設(shè)置于所述柵氧化層上的第一部和設(shè)置于所述場氧化層上的第二部，其特征在于，所述多階場板還包括第一金屬場板；

所述第一金屬場板設(shè)置于所述多晶硅場板的第二部上；

所述多晶硅場板的第二部和所述第一金屬場板之間設(shè)置有絕緣介質(zhì)層并通過該絕緣介質(zhì)層中的接觸孔連接；

所述多晶硅場板的第二部的靠近所述漏極的一端與所述漏極的距離大于所述第一金屬場板的靠近漏極的一端與所述漏極的距離。

2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于橫向高壓半導(dǎo)體器件的多階場板，其特征在于，所述多晶硅場板的第二部的靠近所述漏極的一端和所述第一金屬場板的靠近所述源極的一端在水平方向上部分重疊。

3.一種應(yīng)用于橫向高壓半導(dǎo)體器件的多階場板，所述橫向高壓半導(dǎo)體器件包括源極、位于所述源極上方的柵氧化層、場氧化層和漏極，所述多階場板包括多晶硅場板，所述多晶硅場板包括設(shè)置于所述柵氧化層上的第一部和設(shè)置于所述場氧化層上的第二部，其特征在于，

所述多階場板還包括至少兩個金屬場板；

所述至少兩個金屬場板依次設(shè)置于所述多晶硅場板的第二部之上；

所述多晶硅場板的第二部和與其距離最近的金屬場板之間設(shè)置有絕緣介質(zhì)層并通過該絕緣介質(zhì)層中的接觸孔連接，兩相鄰的金屬場板之間設(shè)置有絕緣介質(zhì)層并通過該絕緣介質(zhì)層中的接觸孔連接；

所述多晶硅場板的第二部的靠近所述漏極的一端與所述漏極的距離大于與該多晶硅場板的第二部距離最近的金屬場板的靠近所述漏極的一端與所述漏極的距離；

所述金屬場板的靠近所述漏極的一端與所述漏極的距離大于在該金屬場板上方并與該金屬場板相鄰的金屬場板的靠近所述漏極的一端與所述漏極的距離。

4.如權(quán)利要求3所述的應(yīng)用于橫向高壓半導(dǎo)體器件的多階場板，其特征在于，

所述多晶硅場板的第二部的靠近所述漏極的一端和與該多晶硅場板的第二部距離最近的所述金屬場板的靠近所述源極的一端在水平方向上部分重疊；

所述金屬場板的靠近所述漏極的一端和在該金屬場板上方并與該金屬場板相鄰的金屬場板的靠近所述源極的一端在水平方向上部分重疊。

5.一種橫向高壓半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的多階場板。