[發(fā)明專利]一種含1T相的MoS2 在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011120841.8 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112359318A | 公開（公告）日： | 2021-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宋忠孝;陳亞奇;杜運(yùn)達(dá);高波;杜曉曄;李雁淮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C23C14/06 | 分類號(hào)： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 閔岳峰 |
| 地址： | 710049 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mos base sub | ||
1.一種含1T相的MoS2薄膜制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
(1)對(duì)基體表面使用酒精進(jìn)行超聲清洗，并吹干；
(2)將清洗并吹干后的基體裝夾在磁控濺射腔內(nèi)，以Ar為工作氣體，采用MoS2靶和金屬靶共濺射，沉積得到含1T相的MoS2薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含1T相的MoS2薄膜制備工藝，其特征在于，步驟(1)中基體為碳纖維布、碳纖維紙、泡沫鎳、泡沫銅、蠟灰或硅片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含1T相的MoS2薄膜制備工藝，其特征在于，步驟(2)中工作氣壓為0.2～1Pa，公轉(zhuǎn)速度為0.5～5r/min，溫度為30℃，Ar流量20～40sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含1T相的MoS2薄膜制備工藝，其特征在于，步驟(2)中金屬靶為純度99.9％的銅、銀、金或鋁靶。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含1T相的MoS2薄膜制備工藝，其特征在于，步驟(2)MoS2采用射頻電源，功率為50～300W，金屬采用直流電源，功率為5～50W。
6.一種由權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的制備工藝制備得到的MoS2薄膜。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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