[實用新型]用于電池組保護MOSFET的公共漏極電源夾件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320569842.X
• 申請日: 2013-09-13
• 公開（公告）號: CN203589028U
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 吳春林;史蒂文·薩普;B·多斯多斯;S·貝拉尼;尹成根
• 申請（專利權）人: 快捷半導體（蘇州）有限公司;快捷半導體公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L23/495;H01L21/98;H01L21/60
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 歸瑩;張穎玲

技術領域

本申請涉及用于電池組保護MOSFET的公共漏極電源夾件。

背景技術

存在有針對鋰離子電池的各種保護機制。如果鋰離子電池過度充電，可能出現(xiàn)較強的放熱反應，且引起火災的可能性增大。為了避免鋰離子電池過度充電，使用電池保護電路。除其他組件之外，該電池保護電路通常包含兩個場效應晶體管（field?effect?transistor，F(xiàn)ET）開關和控制集成電路（IC）。一個FET防止電流流入電池，另一FET防止電流從電池中流出（除非控制IC允許）。

電池保護電路通常對手機、智能手機和平板電腦進行保護。在這種電子器件中，用于電路板上的組件的空間必須保持最小值。相應地，不僅器件組件本身保持最小尺寸，而且封裝后的器件也必須保持最小尺寸。圖1中示出了典型的電池管理電路10。系統(tǒng)11（例如手機、個人電腦等）具有對該系統(tǒng)11進行操作的電池18。電源管理電路12對兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）2、4的工作進行控制，該兩個MOSFET對電池18進行充放電。二級保護電路14設置在保險絲16和將電池18連接到電源管理電路12上的線路之間。電源管理電路避免電池過度充電以及妨礙電池將來再充電的過度放電。

如圖1所示，對單獨的MOSFET2、4分別進行封裝并連接在一起。但隨著系統(tǒng)制作得越來越小，則需要減小MOSFET占據(jù)的凈面積，且相應地需要在減小的面積上工作的器件仍正常運作或者比具有較大面積的器件更好地運作。這些需求對本領域技術人員提出挑戰(zhàn)，這是因為減小MOSFET的尺寸通常會增大串聯(lián)連接的MOSFET的電阻或源極到源極電阻（RSS）。

本實用新型的實施例不限于本文示出的結構的這些用途，且可對本實用新型的其他用途和實施例進行設想。例如，示例性實施例可與電氣系統(tǒng)（例如，計算機系統(tǒng)、服務器、無線電話、電視機、電源等）中的其他組件一起安裝在電路板上。本實用新型的實施例是耐用而穩(wěn)定的。半導體芯片封裝件的方面，由于暴露在外的IC芯片連接焊盤和夾件結構的存在，提供了比以前更高的封裝效率以及優(yōu)良的熱性能。對于諸如LCD元器件的應用，這就允許了更小的空間需求，節(jié)約了成本并簡化了制作程序。此外，在示例性實施例中，半橋電路在引線框架的每一相對表面上的安置，創(chuàng)建了更穩(wěn)定而堅固的電路。在這種安置下，夾件結構可通過制模材料暴露在封裝件的正面和反面兩側(cè)上，保證了良好的熱性能。

本文所使用的“上”和“下”表面在相對于其上安裝有本實用新型實施例的半導體芯片封裝的電路板的相對性語境中使用。這種位置性術語可涉及或不可涉及這種封裝件的絕對位置。

上述半導體芯片封裝件可在用于電氣裝配中，該電氣裝配包括其上安裝有封裝件的電路板。半導體芯片封裝件還可用于系統(tǒng)（如電話、電腦等）中。

“一（a）”、“一（an）”和“該（the）”的任何陳述指的是一個或多個（除非與此相反地具體指出）。本文中所采用的術語和措辭作為描述的術語來使用且并非限制性的，且這些術語和措辭的使用并不排除所示出和描述的特征的等同物，需認識到在所要求的本實用新型范圍內(nèi)的各種修改均為可能的。

此外，在不脫離本實用新型范圍的情況下，本實用新型的一個或多個實施例的一個或多個特征可與本實用新型的其他實施例的一個或多個特征相結合。實用新型內(nèi)容

本概要以簡化形式介紹了挑選出的概念，這些概念在下面的具體實施方式中進一步描述。本概要不旨在確定所要求主題的關鍵特征，也不旨在用于輔助確定所要求主題的范圍。

本實用新型提供一種單芯片，該單芯片具有兩個位于同一襯底上的電隔離的MOSFET。一個實施例為常規(guī)的具有漏極夾件的垂直MOSFET，且另一實施例為具有直通漏極接觸和散熱塊的垂直MOSFET。每個實施例需要比兩個單獨封裝件的MOSFET所占據(jù)的空間更小的空間。每個實施例提供比任一單獨的MOSFET更大的芯片。這樣，兩個實施例的組合的源極到源極電阻低于兩個單獨的MOSFET。