[實用新型]集成電路器件有效
| 申請號： | 201320529439.4 | 申請日： | 2013-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN203659847U | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | J·H·張;L·A·克萊文杰;C·拉登斯;徐移恒 | 申請（專利權）人： | 意法半導體公司;國際商業機器公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 美國得*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 器件 | ||
1.一種集成電路器件，其特征在于，包括：?
半導體襯底；?
在所述半導體襯底中的多個晶體管；?
在所述半導體襯底上面的第一金屬間電介質層；?
在所述第一金屬間電介質層上面的多個第一金屬軌道；?
在所述第一金屬軌道中的至少一個第一金屬軌道的頂部、底部和側部上的第一保護電介質層；?
在所述第一金屬軌道和所述第一保護電介質層上面的第二金屬間電介質層；?
在所述第二金屬間電介質層上面的多個第二金屬軌道；以及?
在所述第二金屬軌道中的至少一個第二金屬軌道的頂部、底部和側部上的第二保護電介質層，所述第一金屬間電介質層和所述第二金屬間電介質層相對于所述第一保護電介質層和所述第二保護電介質層選擇性地可蝕刻。?
2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，包括在所述第一金屬間電介質層和所述第二金屬間電介質層中的第一過孔，所述第一保護電介質層形成確定所述第一過孔的一個寬度尺度的至少一個側壁。?
3.根據權利要求2所述的集成電路器件，其特征在于，包括在所述第一過孔中的第一傳導塞，所述第一傳導塞與所述第二金屬軌道中的至少一個金屬軌道一體。?
4.根據權利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，所述第一保護電介質層包括氮化硅。?
5.根據權利要求4所述的集成電路器件，其特征在于，所述第一保護電介質層包括碳。?
6.根據權利要求5所述的集成電路器件，其特征在于，所述第一保護電介質層具有少于50nm的厚度，并且所述第一金屬間電介?質層具有大于100nm的厚度。?
7.根據權利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，包括：?
在所述第二金屬間電介質層上面的第三金屬間電介質層；?
在所述第三金屬間電介質層上面的多個第三金屬軌道；?
覆蓋所述第三金屬軌道中的至少一個第三金屬軌道的頂部、底部和側部的第三保護電介質層；?
在所述第三金屬軌道和所述第三保護電介質層上面的第四金屬間電介質層；?
在所述第四金屬間電介質層上面的多個第四金屬軌道；以及?
覆蓋所述第四金屬軌道中的至少一個第四金屬軌道的頂部、底部和例部的第四保護電介質層。?
8.根據權利要求7所述的集成電路器件，其特征在于，包括在所述第三金屬間電介質層和所述第四金屬間電介質層中的暴露第二傳導塞的第二過孔。?
9.根據權利要求8所述的集成電路器件，其特征在于，包括在所述第二過孔中的將所述至少一個第四金屬軌道電耦合到所述至少一個第二金屬軌道的第二傳導塞。?
10.一種集成電路器件，其特征在于，包括：?
半導體襯底；?
在所述半導體襯底上面的第一金屬間電介質層；?
在所述第一金屬間電介質層上面的第一金屬軌道；?
在所述第一金屬軌道的頂部、底部和側部表面上的保護電介質層；?
在所述第一金屬軌道和所述第一保護電介質層上面的第二金屬間電介質層；?
在所述第二金屬間電介質層上的第二金屬軌道；?
在所述第二金屬軌道的頂部、底部和側部表面上的保護電介質層；?
在所述第一金屬間電介質層和所述第二金屬間電介質層中的第?一過孔，所述第一保護電介質層形成限定所述第一過孔的寬度尺度的至少一個側壁；以及?
在所述第一過孔中的第一傳導塞。?
11.根據權利要求10所述的集成電路器件，其特征在于，包括：?
在所述第二金屬間電介質中的第二過孔；?
所述第二過孔中的連接所述第二金屬軌道與所述第一金屬軌道的第二傳導塞。?
12.根據權利要求11所述的集成電路器件，其特征在于，所述第一傳導塞、所述第二傳導塞和所述第二金屬軌道相互一體。?
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