[實用新型]一種永磁機構驅動器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320505474.2
• 申請日: 2013-08-19
• 公開（公告）號: CN203397943U
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設計）人: 徐健源;杜仁偉;劉洋;王博;周建祥
• 申請（專利權）人: 南京因泰萊配電自動化設備有限公司
• 主分類號: H01H3/28
• 分類號: H01H3/28;H02H9/04;H02H3/08
• 代理公司: 南京匯盛專利商標事務所(普通合伙) 32238
• 代理人: 吳靜安

技術領域

本實用新型屬于高壓開關設備領域，尤其涉及一種永磁機構驅動器。

背景技術

目前，公知的永磁機構真空斷路器的控制方式，一種是采用接觸器控制方式，此控制方式電路結構簡單，但控制延時時間較長，直流接觸器線圈上的電流靠斷路器上的的輔助接點切斷，控制回路關斷時永磁機構線圈上的電流已經(jīng)達到線圈的飽和電流，這對線圈的老化速度及使用壽命影響很大，同時也很難實現(xiàn)智能化控制。另一種是采用控制器模式，此控制器是根據(jù)位置接近開關的接點動作來判斷永磁機構位置狀態(tài)，控制器在檢測到位置狀態(tài)信號后方可執(zhí)行動作命令。因為位置接近開關是電子式產(chǎn)品，需要長期有電源供電，所以位置接近開關經(jīng)常有被燒毀或粘連短路的現(xiàn)象發(fā)生，造成斷路器無法正常動作，影響了斷路器動作的可靠性。

發(fā)明內容

本實用新型提出一種采用高頻半導體功率器件作為主要開關元件實現(xiàn)永磁機構分合控制的驅動器，目的在于克服現(xiàn)有的永磁機構控制器的誤動、拒動和易燒毀分、合閘線圈及分合閘控制元件的缺陷，提供一種可以提高永磁機構動作的可靠性，降低線圈老化速度，延長線圈使用壽命的新型永磁機構驅動器，具體有以下技術方案實現(xiàn)：

所述永磁機構驅動器，包括H橋主電路，吸收電路，電壓檢測電路，電流檢測電路，信號調理及保護電路以及控制電路，所述電壓檢測電路、電流檢測電路以及控制電路分別與H橋主電路以及信號調理及保護電路連接，所述H橋主電路與吸收電路以及信號調理及保護電路連接，電壓檢測電路與吸收電路連接，所述H橋主電路由左半橋、右半橋以及驅動電路組成，每半橋由上、下兩個橋臂組成且分別與所述驅動電路連接，上、下橋臂分別為半導體功率器件且相互連接，所述驅動電路由帶死區(qū)編程的半導體功率器件驅動芯片及外圍電路組成，所述芯片與信號調理及保護電路連接。

所述永磁機構驅動器的進一步設計在于，所述吸收電路包括大功率電阻、無極性電容以及雙向瞬態(tài)抑制二極管，所述電阻與電容的串聯(lián)形成吸收電路，所述二極管并接在所述吸收電路的兩端。

所述永磁機構驅動器的進一步設計在于，所述電壓檢測電路主要由電壓互感器及兩運算放大器組成，電壓互感器、兩運算放大器依次串接。

所述永磁機構驅動器的進一步設計在于，所述電流檢測電路主要由電流傳感器及兩運算放大器組成，電流傳感器、兩運算放大器依次串接。

所述永磁機構驅動器的進一步設計在于，所述信號調理及保護模塊主要由比較器及多路模擬選擇器組成，所述比較器與多路模擬選擇器串接。

所述永磁機構驅動器的進一步設計在于，所述控制模塊主要由微控制器及A/D轉換芯片組成，所述微控制器與A/D轉換芯片連接，所述微控制器基于STM32單片機。

本實用新型提供的永磁機構驅動器優(yōu)點如下：

提高永磁機構動作的可靠性，降低線圈老化速度，延長了永磁機構線圈的使用壽命，使得永磁機構在控制上更加智能化；同時具有分合閘速度快，動作可靠性高，體積小，成本低的特點。

附圖說明

圖1為本實用新型提供的永磁機構驅動器的結構示意圖.

圖2為吸收電路的電路圖。

圖3為H橋主電路的電路圖。

圖4為電壓檢測電路的電路圖。

圖5為電流檢測電路的電路圖。

圖6為信號調理及保護電路的電路圖。

圖7為控制模塊電路的電路圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明方案進行詳細說明。

永磁機構驅動器，包括H橋主電路，吸收電路，電壓檢測電路，電流檢測電路，信號調理及保護電路以及控制電路，電壓檢測電路、電流檢測電路以及控制電路分別與H橋主電路以及信號調理及保護電路連接，H橋主電路與吸收電路以及信號調理及保護電路連接，電壓檢測電路與吸收電路連接，

H橋主電路如圖1所示，是有左右兩個部分1組成，每一部分由左半橋、右半橋和相應的驅動電路組成，每半橋又分別分為上、下兩個橋臂1a且上、下橋臂相互連接，每個橋臂分別由一個半導體功率器件構成。如圖2所示，驅動電路采用一種公知的帶死區(qū)編程的半導體功率器件驅動芯片1b及外圍電路組成，驅動芯片的分合控制輸入信號用于控制上、下兩個功率器件互補導通，使能控制用于控制驅動電路的輸出，芯片與信號調理及保護電路連接。通過處在H橋對角線和反對角線上的半導體功率器件的交替導通使永磁機構線圈通正向電流和反向電流，進而實現(xiàn)永磁機構的分合動作。