[實用新型]RH環(huán)流管上層雙環(huán)砌筑結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320501941.4
• 申請日: 2013-08-17
• 公開（公告）號: CN203462076U
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設計）人: 上官永強;張君
• 申請（專利權）人: 遼寧中鎂高溫材料有限公司
• 主分類號: C21C7/10
• 分類號: C21C7/10
• 代理公司: 沈陽杰克知識產(chǎn)權代理有限公司 21207
• 代理人: 楊乃力

技術領域

本實用新型涉及冶金窯爐領域，具體地說是一種RH環(huán)流管上層雙環(huán)砌筑結構。

背景技術

RH是目前鋼水處理比較先進的爐外精煉方式。如圖1所示，RH真空脫氣裝置是帶有兩根浸漬管的真空槽浸漬到盛鋼桶的鋼水中，由一根管送入氬氣，借助氣壓使鋼水提升到真空槽中一定高度，然后從另一根管中流出，從而促進了鋼水在盛鋼桶和真空槽之間的循環(huán)，在真空槽中對鋼水進行脫氣、脫碳、脫氧和調整成分，其中兩根浸漬管形成鋼水循環(huán)所需的通道，鋼水上升的浸漬管又叫上升管，對應鋼水下降的浸漬管又叫下降管。連接真空槽和浸漬管之間的部位叫做環(huán)流管，是鋼水循環(huán)必經(jīng)的通道，在實際生產(chǎn)過程中，環(huán)流管部位的提前損毀是RH浸漬管提前下線更換的重要原因之一，成為制約RH爐使用壽命的重要環(huán)節(jié)。

結合眾多現(xiàn)場使用情況分析，發(fā)現(xiàn)其中重要的一個原因是由于環(huán)流管的上浮現(xiàn)象引起的。環(huán)流管磚能否產(chǎn)生上浮，主要取決于周圍其他耐材對其產(chǎn)生的約束力的大小，約束力不足，上浮不可避免。如圖2所示，環(huán)流管磚的上浮主要在兩層環(huán)流管磚的上部一層表現(xiàn)比較明顯，在對RH浸漬管下線后的環(huán)流管部位進行觀察，可以明顯看到上、下兩層環(huán)流管磚之間的縫隙侵蝕損毀相當嚴重，都是因為上層環(huán)流管上浮造成縫隙加大，進而使侵蝕加劇的結果。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述存在的技術問題，本實用新型提供一種RH環(huán)流管上層雙環(huán)砌筑結構，通過上層外環(huán)磚層磚體的凸塊與上層內(nèi)環(huán)磚層磚體的凹槽Ⅰ卡緊鎖死，使環(huán)流管上層形成一個類整體結構的雙環(huán)磚層結構，進而加大對環(huán)流管上浮的阻力作用，避免環(huán)流管上浮現(xiàn)象的發(fā)生，提高RH爐的使用壽命。

本實用新型的目的是通過下述技術方案實現(xiàn)的：RH環(huán)流管上層雙環(huán)砌筑結構，由上層內(nèi)環(huán)磚層和上層外環(huán)磚層構成，上層內(nèi)環(huán)磚層磚體的一側面設有凹槽Ⅰ；上層外環(huán)磚層磚體一側面設有凸塊，其相對的另一側面設有凹槽Ⅱ，另外兩側面中心處設有子母槽，凹槽Ⅱ由填充料填充；上層內(nèi)環(huán)磚層磚體的凹槽Ⅰ與上層外環(huán)磚層的凸塊相對接，上層外環(huán)磚層相鄰的磚體間通過子母槽連接。

所述的凹槽Ⅰ數(shù)量為1-3個。

所述的凸塊數(shù)量為1-3個。

所述的凹槽Ⅱ數(shù)量為1-3個。

所述的凹槽Ⅰ的形狀是梯形、三角形或圓形。

所述的凸塊、凹槽Ⅱ、子母槽的形狀是梯形、三角形或圓形。

本實用新型的有益效果：本實用新型提供一種將環(huán)流管上層由傳統(tǒng)的單環(huán)砌筑結構改變?yōu)殡p環(huán)砌筑結構，由經(jīng)過特殊設計的上層外環(huán)磚層磚體的凸塊與上層內(nèi)環(huán)磚層磚體的凹槽Ⅰ相接卡緊鎖死，使環(huán)流管上層形成一個類整體結構的雙環(huán)磚層砌筑結構，將上層內(nèi)環(huán)磚層和上層外環(huán)磚層均做成圓環(huán)結構，利于內(nèi)外層的卡緊鎖死，加強了磚與磚之間的相互作用，因此環(huán)形結構更利于生產(chǎn)的操作，進而提高了爐底結構的抗塑性變形能力，能夠有效抵抗剛水的上浮作用力，防止環(huán)流管上浮現(xiàn)象的發(fā)生，延長環(huán)流管的使用壽命，降低環(huán)流管和浸漬管的耐材消耗，提高RH爐外精煉的效率，具有非常積極地意義。

附圖說明

圖1為采用現(xiàn)有技術的RH爐下部結構的側剖視圖。

圖2為采用現(xiàn)有技術的環(huán)流管上層砌筑結構的俯視圖。

圖3為采用本實用新型技術的RH爐下部結構的側剖視圖。

圖4為采用本實用新型技術的環(huán)流管上層砌筑結構的俯視圖。

圖5為采用本實用新型技術的上層內(nèi)環(huán)磚層磚體的結構示意圖。

圖6為采用本實用新型技術的上層外環(huán)磚層磚體的結構示意圖。

圖7為圖6延AB軸向的剖面俯視圖。

附圖標記：1.上升管，2.下降管，3.環(huán)流管上層，3-1.上層內(nèi)環(huán)磚層，3-2.上層外環(huán)磚層，4.環(huán)流管下層，5.底部槽磚，6.環(huán)流管砌筑體和底部槽直型砌筑體之間的縫隙，7.上層內(nèi)環(huán)磚層與上層外環(huán)磚層相交面，8.上層內(nèi)環(huán)磚層磚體凹槽Ⅰ，9.上層外環(huán)磚層磚體凸塊，10.上層外環(huán)磚層磚體凹槽Ⅱ，11.上層外環(huán)磚層磚體子母槽。

具體實施方式