[實用新型]減薄柔性三結砷化鎵太陽能電池有效
| 申請號： | 201320474536.8 | 申請日： | 2013-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN203398124U | 公開（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發明（設計）人： | 趙宇;肖志斌;許軍;韓志剛 | 申請（專利權）人： | 天津恒電空間電源有限公司;中國電子科技集團公司第十八研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人： | 李鳳 |
| 地址： | 300384 天津市濱海新區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 三結砷化鎵 太陽能電池 | ||
【權利要求書】：
1.減薄柔性三結砷化鎵太陽能電池，包括GaInP/GaAs/Ge三結砷化鎵外延片，外延片背光面上的下電極、外延片受光面上的上電極和上電極上的減反射膜，其特征在于：所述外延片的厚度去薄至0.14mm以下；所述上電極上制有梳狀密柵形柵線。
2.根據權利要求1所述的減薄柔性三結砷化鎵太陽能電池，其特征在于：所述上電極為Au-Ge-Ag-Au結構上電極；所述下電極為Au-Ge-Ag結構下電極。
3.根據權利要求1所述的減薄柔性三結砷化鎵太陽能電池，其特征在于：所述減反射膜為TiO2/Al2O3減反射膜。
4.根據權利要求2所述的減薄柔性三結砷化鎵太陽能電池，其特征在于：所述上電極的厚度為50nm的Au、20nm的Ge、300nm的Ag和50nm的Au；所述下電極的厚度為50nm的Au、30nm的Ge和4000nm的Ag。
5.根據權利要求3所述的減薄柔性三結砷化鎵太陽能電池，其特征在于：所述減反射膜的厚度為60nm的TiO2和90nm的Al2O3。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
