[實(shí)用新型]太陽(yáng)電池陣抗輻照玻璃蓋片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320474524.5
• 申請(qǐng)日: 2013-08-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203398137U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙宇;肖志斌;鐵劍銳;許軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津恒電空間電源有限公司;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十八研究所
• 主分類號(hào): H01L31/048
• 分類號(hào): H01L31/048
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 12101
• 代理人: 李鳳

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于太陽(yáng)電池陣技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及太陽(yáng)電池陣抗輻照玻璃蓋片。

背景技術(shù)

太陽(yáng)電池陣是用單體太陽(yáng)電池組成的方陣將光能轉(zhuǎn)換成電能的電源系統(tǒng)，可廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域，具有可靠性高﹐壽命長(zhǎng)﹐轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)。為了保證太陽(yáng)電池陣受光表面免受外界惡劣環(huán)境的侵害，通常在太陽(yáng)方陣受光表面覆有玻璃蓋片。

目前，覆蓋在太陽(yáng)方陣受光表面的整體玻璃蓋片，是由多個(gè)單體玻璃蓋片串聯(lián)在一起構(gòu)成。單體玻璃蓋片大多采用摻雜5%二氧化鈰的硼硅酸鹽作為玻璃襯底，由于其折射率為1.526，入射太陽(yáng)光在界面的反射損失為4%，則在玻璃襯底表面沉積一層起增透作用的氟化鎂薄膜，使入射太陽(yáng)光在界面的反射損失降低到1%。但是由于氟化鎂薄膜不導(dǎo)電，使得太陽(yáng)電池陣存在充電不均勻的問(wèn)題，為此在氟化鎂薄膜表面蒸鍍一層導(dǎo)電性能和透明度良好的氧化銦錫（ITO）膜。而ITO材料又存在在可見(jiàn)光波段對(duì)太陽(yáng)光有吸收和與氟化鎂材料之間存在匹配問(wèn)題，當(dāng)蒸鍍?cè)诜V薄膜表面的ITO膜過(guò)厚會(huì)降低電池對(duì)光的吸收效率，而影響電池陣的光電轉(zhuǎn)換效率；ITO膜過(guò)薄則容易在氟化鎂薄膜上脫落，降低了太陽(yáng)電池陣工作的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題而提供一種不影響電池陣的光電轉(zhuǎn)換效率、ITO膜不脫落，保證太陽(yáng)電池陣在惡劣環(huán)境中能夠可靠工作的太陽(yáng)電池陣抗輻照玻璃蓋片。

本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：

太陽(yáng)電池陣抗輻照玻璃蓋片，包括通過(guò)匯流條串聯(lián)成一體的復(fù)數(shù)個(gè)單體玻璃蓋片，相鄰單體玻璃蓋片之間連接互聯(lián)條；所述單體玻璃蓋片包括蒸鍍?cè)陂L(zhǎng)方形玻璃襯底一面的氟化鎂薄膜，其特點(diǎn)是：氟化鎂薄膜上蒸鍍燒結(jié)有納米級(jí)ITO薄膜，ITO薄膜兩角處蒸鍍有多層結(jié)構(gòu)電極。

本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)措施：

所述納米級(jí)ITO薄膜的厚度為8-15nm。

所述多層結(jié)構(gòu)電極為鈦-鈀-銀電極。

所述鈦-鈀-銀電極中鈦的厚度為300nm、鈀的厚度為100nm、銀的厚度為5000nm。

所述氟化鎂薄膜的厚度為50nm。

本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：

1、本實(shí)用新型采用全自動(dòng)電子束加熱真空蒸鍍機(jī)，在氟化鎂薄膜上蒸鍍出厚度為8-15nm的納米級(jí)ITO薄膜，在400nm-1800nm波段范圍內(nèi)平均光譜透過(guò)率接近93%，既保護(hù)了電池陣，使其不受惡劣環(huán)境的侵害，有效起到抗輻照的作用，又不會(huì)造成因影響電池對(duì)光的吸收效率而降低電池陣的光電轉(zhuǎn)換效率；

2、本實(shí)用新型通過(guò)燒結(jié)對(duì)ITO薄膜進(jìn)行退火處理，確保ITO薄膜與氟化鎂薄膜之間的結(jié)合能力，ITO薄膜不脫落，提高了ITO薄膜的牢固度。

3、本實(shí)用新型采用鈦-鈀-銀多層金屬化電極結(jié)構(gòu)，提高了電極和ITO薄膜之間的附著能力，大幅提高了電極的抗拉力強(qiáng)度，確保了太陽(yáng)電池陣在各種復(fù)雜環(huán)境中工作的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型太陽(yáng)電池陣抗輻照玻璃蓋片結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1中單體玻璃蓋片結(jié)構(gòu)主視示意圖；

圖3是圖2的俯視示意圖。

圖中，1-玻璃襯底，2-氟化鎂薄膜，3-ITO薄膜，4-電極，5-互聯(lián)條，6-ITO薄膜匯流條。

具體實(shí)施方式

為能進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的發(fā)明內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，茲例舉以下實(shí)施例，并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如下：

太陽(yáng)電池陣抗輻照玻璃蓋片，包括通過(guò)匯流條串聯(lián)成一體的復(fù)數(shù)個(gè)單體玻璃蓋片，相鄰單體玻璃蓋片之間連接互聯(lián)條；所述單體玻璃蓋片包括蒸鍍?cè)陂L(zhǎng)方形玻璃襯底一面的氟化鎂薄膜。

本實(shí)用新型的創(chuàng)新點(diǎn)是：

氟化鎂薄膜上蒸鍍燒結(jié)有納米級(jí)ITO薄膜，ITO薄膜兩角處蒸鍍有多層結(jié)構(gòu)電極。

本實(shí)用新型的創(chuàng)新點(diǎn)還包括：

所述納米級(jí)ITO薄膜的厚度為8-15nm。

所述多層結(jié)構(gòu)電極為鈦-鈀-銀電極。

所述鈦-鈀-銀電極中鈦的厚度為300nm、鈀的厚度為100nm、銀的厚度為5000nm。

所述氟化鎂薄膜的厚度為50nm。

實(shí)施例：

本實(shí)用新型的制作過(guò)程：

首先，在六個(gè)相同尺寸的長(zhǎng)方形硼硅酸鹽玻璃襯底1上分別蒸鍍出50nm的氟化鎂薄膜2，然后進(jìn)行以下步驟的制作：

⑴蒸鍍ITO薄膜