[實用新型]太陽電池陣抗輻照玻璃蓋片有效
| 申請號： | 201320474524.5 | 申請日： | 2013-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN203398137U | 公開（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發明（設計）人： | 趙宇;肖志斌;鐵劍銳;許軍 | 申請（專利權）人： | 天津恒電空間電源有限公司;中國電子科技集團公司第十八研究所 |
| 主分類號： | H01L31/048 | 分類號： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人： | 李鳳 |
| 地址： | 300384 天津市濱海*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽電池 輻照 玻璃 | ||
【權利要求書】：
1.太陽電池陣抗輻照玻璃蓋片，包括通過匯流條串聯成一體的復數個單體玻璃蓋片，相鄰單體玻璃蓋片之間連接互聯條；所述單體玻璃蓋片包括蒸鍍在長方形玻璃襯底一面的氟化鎂薄膜，其特征在于：氟化鎂薄膜上蒸鍍燒結有納米級ITO薄膜，ITO薄膜兩角處蒸鍍有多層結構電極。
2.根據權利要求1所述的太陽電池陣抗輻照玻璃蓋片，其特征在于：所述納米級ITO薄膜的厚度為8-15nm。
3.根據權利要求1所述的太陽電池陣抗輻照玻璃蓋片，其特征在于：所述多層結構電極為鈦-鈀-銀電極。
4.根據權利要求3所述的太陽電池陣抗輻照玻璃蓋片，其特征在于：所述鈦-鈀-銀電極中鈦的厚度為300nm、鈀的厚度為100nm、銀的厚度為5000nm。
5.根據權利要求1所述的太陽電池陣抗輻照玻璃蓋片，其特征在于：所述氟化鎂薄膜的厚度為50nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
