[實(shí)用新型]肖特基二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320467664.X
• 申請日: 2013-08-01
• 公開（公告）號: CN203351612U
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倪煒江
• 申請（專利權(quán)）人: 泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/08
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 張雪梅

1.一種肖特基二極管，包括：

第一電極層，

位于所述第一電極層上第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底上的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體外延層；

形成在所述外延層中的有源區(qū)包括多個(gè)密排的第二導(dǎo)電類型的圓形摻雜區(qū)，

形成在所述外延層上且與所述摻雜區(qū)接觸的第二電極層，

其特征在于，

所述多個(gè)第二導(dǎo)電類型的圓形摻雜區(qū)的布置使得，在反向偏置電壓下，由所述摻雜區(qū)形成的耗盡區(qū)夾斷導(dǎo)通溝道。

2.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述多個(gè)第二導(dǎo)電類型的圓形摻雜區(qū)的布置使得，在反向偏置電壓下，對于任意兩兩近鄰的三個(gè)圓形摻雜區(qū)，每一圓形摻雜區(qū)的耗盡區(qū)邊緣經(jīng)過該三個(gè)圓形摻雜區(qū)之間的中點(diǎn)。

3.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第二導(dǎo)電類型圓形摻雜區(qū)的直徑大小使得在反向偏壓下該圓形摻雜區(qū)不發(fā)生穿通。

4.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述半導(dǎo)體是碳化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，該肖特基二極管是結(jié)勢壘肖特基二極管或PIN/肖特基混合二極管。

6.如權(quán)利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型是n型而所述第二導(dǎo)電類型是p型；或者所述第一導(dǎo)電類型是p型，而所述第二導(dǎo)電類型是n型。

7.一種肖特基二極管，包括：

第一電極層，

位于所述第一電極層上第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底上的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體外延層；

所述半導(dǎo)體外延層中的有源區(qū)包括其間具有多個(gè)密排的圓形外延層區(qū)域的第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)，

形成在所述外延層上且與所述摻雜區(qū)接觸的第二電極層，

其特征在于，

所述多個(gè)圓形外延層區(qū)域和所述摻雜區(qū)的布置使得，在反向偏置電壓下，由所述摻雜區(qū)形成的耗盡區(qū)夾斷導(dǎo)通溝道。

8.如權(quán)利要求7所述的肖特基二極管，其特征在于，相鄰圓形外延層區(qū)域之間的間隔使得在反向偏壓下所述摻雜區(qū)不發(fā)生穿通。

9.如權(quán)利要求7所述的肖特基二極管，其特征在于，所述半導(dǎo)體是碳化硅。

10.如權(quán)利要求7所述的肖特基二極管，其特征在于，該肖特基二極管是結(jié)勢壘肖特基二極管或PIN/肖特基混合二極管。