[實(shí)用新型]一種芯片校準(zhǔn)系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320435045.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203423155U | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 葉菁華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海耐普微電子有限公司;鈺太科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/68 | 分類號(hào): | H01L21/68;H05K13/08 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201204 上海市浦東新區(qū)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 校準(zhǔn) 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及芯片位置校準(zhǔn)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片校準(zhǔn)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
芯片是一種集成電路的載體,由晶圓分割形成。芯片是電子設(shè)備的控制器中最重要的組成部分。芯片通常通過針腳與控制器基板上相應(yīng)位置的連接座連接。但是,由于芯片上包括了較復(fù)雜的集成電路,因此,芯片的針腳與連接座之間的關(guān)系應(yīng)該是一一對(duì)應(yīng),如果芯片與基板之間的連接位置出現(xiàn)偏差,會(huì)導(dǎo)致集成電路的線路連接混亂,無法實(shí)現(xiàn)預(yù)設(shè)的功能。甚至?xí)?dǎo)致集成電路短路,破壞芯片結(jié)構(gòu),進(jìn)而損壞整個(gè)控制器。
現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)芯片位置的檢測和調(diào)整通常采用外部介入的物理手段,最常見的是采用人工校準(zhǔn)的方式調(diào)整芯片放置的位置。但是人工調(diào)整的方式比較耗費(fèi)勞動(dòng)力,且較容易出錯(cuò),并非一個(gè)較優(yōu)的解決問題的方式。
中國專利(CN102646572A)公開了一種芯片焊接機(jī)以及半導(dǎo)體制造方法,其中芯片焊接機(jī)具有:焊接頭,其從晶圓吸附芯片并將其焊接到襯底上;定位機(jī)構(gòu),其具有以規(guī)定精度定位所述芯片的位置的第一調(diào)整機(jī)構(gòu),并定位所述焊接頭;定位控制部,其控制所述定位機(jī)構(gòu);第二調(diào)整機(jī)構(gòu),其設(shè)置在所述焊接頭上,以比所述第一調(diào)整機(jī)構(gòu)高的精度調(diào)整所述芯片的位置。上述技術(shù)方案中,檢測芯片位置并進(jìn)行調(diào)整的為實(shí)際的物理結(jié)構(gòu),其調(diào)整過程比較繁瑣。
中國專利(CN101364560)公開了一種可調(diào)整式芯片夾治具,主要是于一承載臺(tái)上以磁力吸附固定有多數(shù)個(gè)承載座。每一個(gè)承載座的上表面設(shè)有一芯片容置槽。芯片容置槽是介于彼此呈正交排列的一經(jīng)向調(diào)整裝置與一緯向調(diào)整裝置之間,并透過經(jīng)向調(diào)整裝置與緯向調(diào)整裝置分別調(diào)整其位置來改變芯片容置槽的大小。上述技術(shù)方案只涉及到芯片容置槽的尺寸調(diào)整,并未涉及芯片位置的調(diào)整。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,現(xiàn)提供一種芯片校準(zhǔn)系統(tǒng)的技術(shù)方案,具體包括:
一種芯片校準(zhǔn)系統(tǒng),適用于引腳呈軸對(duì)稱形狀分布的芯片的檢測系統(tǒng),所述檢測系統(tǒng)設(shè)置有檢測單元;
其中,所述芯片校準(zhǔn)系統(tǒng)包括:
與所述芯片的引腳匹配的連接座,所述連接座按預(yù)置的邏輯與所述檢測單元連接;
位置檢測裝置;所述位置檢測裝置包括第一檢測端和第二檢測端;所述第一檢測端連接所述連接座的第一預(yù)設(shè)位置;所述第二檢測端連接所述連接座的第二預(yù)設(shè)位置;所述位置檢測裝置通過所述第二檢測端的輸出判斷所述第一預(yù)設(shè)位置和所述第二預(yù)設(shè)位置之間的電路狀態(tài);
處理裝置;所述處理裝置的輸入端連接所述位置檢測裝置;所述處理裝置將通過所述位置檢測裝置獲取的所述電路狀態(tài)與所述處理裝置中預(yù)置的基準(zhǔn)狀態(tài)進(jìn)行匹配,并根據(jù)匹配結(jié)果自輸出端輸出相應(yīng)的控制指令;
校準(zhǔn)裝置;所述校準(zhǔn)裝置的輸入端連接所述處理裝置的輸出端,還包括設(shè)置于所述連接座與所述檢測單元之間的切換模塊,所述切換模塊根據(jù)所述控制指令以及所述切換模塊中預(yù)置的切換邏輯切換所述連接座與位置檢測裝置之間的連接形式或者切換所述連接座與所述檢測單元之間的連接形式。
優(yōu)選的,該芯片校準(zhǔn)系統(tǒng),其中,所述芯片校準(zhǔn)系統(tǒng)通過所述第一檢測端輸入一個(gè)預(yù)設(shè)大小的電壓;所述位置檢測裝置通過所述第二檢測端的輸出所判斷的所述電路狀態(tài)為所述第一預(yù)設(shè)位置和所述第二預(yù)設(shè)位置之間的電壓值;所述基準(zhǔn)狀態(tài)為電壓值。
優(yōu)選的,該芯片校準(zhǔn)系統(tǒng),其中,所述芯片校準(zhǔn)系統(tǒng)通過所述第一檢測端輸入一個(gè)預(yù)設(shè)大小的電流;所述位置檢測裝置通過所述第二檢測端的輸出所判斷的所述電路狀態(tài)為所述第一預(yù)設(shè)位置和所述第二預(yù)設(shè)位置之間的電流值;所述基準(zhǔn)狀態(tài)為電流值。
優(yōu)選的,該芯片校準(zhǔn)系統(tǒng),其中,所述芯片校準(zhǔn)系統(tǒng)檢測所述第一檢測端和所述第二檢測端之間的電阻值;所述位置檢測裝置通過所述第二檢測端的輸出所判斷的所述電路狀態(tài)為所述第一預(yù)設(shè)位置和所述第二預(yù)設(shè)位置之間的電阻值;所述基準(zhǔn)狀態(tài)為電阻值。
優(yōu)選的,該芯片校準(zhǔn)系統(tǒng),其中,所述第一預(yù)設(shè)位置位于與所述芯片的引腳匹配的所述連接座的一個(gè)頂角處。
優(yōu)選的,該芯片校準(zhǔn)系統(tǒng),其中,所述第二預(yù)設(shè)位置位于所述連接座上的與所述第一預(yù)設(shè)位置呈中心對(duì)稱的位置上。
上述技術(shù)方案的有益效果是:無需采用圖像采集裝置比對(duì)芯片位置圖像或者人工調(diào)整的方式即可校準(zhǔn)芯片與連接座的連接關(guān)系,實(shí)現(xiàn)簡單,免去了繁瑣的調(diào)整制程。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的實(shí)施例中,一種芯片校準(zhǔn)系統(tǒng)的分解結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2-5是本發(fā)明的實(shí)施例中,一種正方形芯片的具體檢測示意圖;
圖6-8是本發(fā)明的實(shí)施例中,一種矩形芯片的具體檢測示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





