[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片收容托盤

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010280244.1
• 申請日: 2010-09-08
• 公開（公告）號: CN102024728A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田村良平
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673
• 代理公司: 北京金信立方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;孫麗梅

1.一種半導(dǎo)體芯片收容托盤，其以多個托盤疊置的方式使用，用于收容多個平面形狀為長方形的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，具備：

底板；

第一突起，其被設(shè)置在所述底板的表面，并被配置在用于收容一個半導(dǎo)體芯片的收容區(qū)域周圍的短邊側(cè)，且具有用于將剖面呈三角形的突起嵌入的凹陷部；

第一凸部，其被設(shè)置在所述底板的表面，并被配置在所述收容區(qū)域周圍的長邊側(cè)；

第二突起，其被設(shè)置在所述底板的背面，并被配置在用于收容一個半導(dǎo)體芯片的收容區(qū)域周圍的短邊側(cè)，且剖面呈三角形；

第二凸部，其被設(shè)置在所述底板的背面，并被配置在所述收容區(qū)域周圍的長邊側(cè)，

其中，當(dāng)兩個半導(dǎo)體芯片收容托盤以所述底板表面與所述底板背面對置的方式被疊置時，形成在所述底板表面的所述收容區(qū)域和形成在所述底板背面的所述收容區(qū)域被重疊在一起，且所述第二突起被嵌入到所述第一突起的所述凹陷部中，而所述第一凸部和所述第二凸部不重疊。

2.一種半導(dǎo)體芯片收容托盤，其以多個托盤疊置的方式使用，用于收容多個平面形狀為長方形的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，具備：

底板；

第一突起，其被設(shè)置在所述底板的表面，并被配置在用于收容一個半導(dǎo)體芯片的收容區(qū)域周圍的短邊側(cè)，且具有用于將剖面呈三角形的突起嵌入的凹陷部；

凹部，其被設(shè)置在所述底板的表面，并被配置在所述收容區(qū)域周圍的長邊側(cè)；

第二突起，其被設(shè)置在所述底板的背面，并被配置在用于收容一個半導(dǎo)體芯片的收容區(qū)域周圍的短邊側(cè)，且剖面呈三角形；

凸部，其被設(shè)置在所述底板的背面，并被配置在所述收容區(qū)域周圍的長邊側(cè)，

其中，當(dāng)兩個半導(dǎo)體芯片收容托盤以所述底板表面與所述底板背面對置的方式被疊置時，形成在所述底板表面的所述收容區(qū)域和形成在所述底板背面的所述收容區(qū)域被重疊在一起，且所述第二突起被嵌入到所述第一突起的所述凹陷部中。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片收容托盤，其特征在于，所述凸部的側(cè)壁被形成為兩級的錐形，所述凸部的側(cè)壁的上部被形成為，與下部相比角度更緩的錐形。

4.如權(quán)利要求1至3中任意一項所述的半導(dǎo)體芯片收容托盤，其特征在于，

具備：第一環(huán)狀凸部，其被形成在所述底板的表面，并沿著所述底板的外周而形成；第二環(huán)狀凸部，其被形成在所述底板的背面，并沿著所述底板的外周而形成，

所述第一環(huán)狀凸部具有，凸前端朝向所述底板的表面中央側(cè)的凸?fàn)钔古_；

所述第二環(huán)狀凸部具有，凹底端朝向所述底板的背面中央側(cè)的凹狀凸臺；

當(dāng)兩個半導(dǎo)體芯片收容托盤以所述底板表面與所述底板背面對置的方式被疊置時，所述第一環(huán)狀凸部和所述第二環(huán)狀凸部具有間隔(L1)，所述凸前端和所述凹底端具有小于所述間隔(L1)的間隔(L4)。

5.如權(quán)利要求1至4中任意一項所述的半導(dǎo)體芯片收容托盤，其特征在于，

具備：第一環(huán)狀凸部，其被形成在所述底板的表面；第二環(huán)狀凸部，其被形成在所述底板的背面，

所述第一環(huán)狀凸部具有，凸前端朝向所述底板表面的垂直上方一側(cè)的凸?fàn)钔古_；

所述第二環(huán)狀凸部具有，凹底端朝向所述底板背面的垂直下方一側(cè)的凹狀凸臺；

所述凸?fàn)钔古_和所述凹狀凸臺各自的側(cè)壁被形成為錐形，

在兩個半導(dǎo)體芯片收容托盤以所述底板表面與所述底板背面對置的方式被疊置時，所述凸?fàn)钔古_的側(cè)壁和所述凹狀凸臺的側(cè)壁之間靠近底板背面一側(cè)的間隔(L4)被形成為，小于所述凸?fàn)钔古_的側(cè)壁和所述凹狀凸臺的側(cè)壁之間靠近底板表面一側(cè)的間隔(L1)。