[實用新型]一種硅基GaN外延生長結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320411968.4
• 申請日: 2013-07-11
• 公開（公告）號: CN203367337U
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅錦貴
• 申請（專利權(quán)）人: 四川海金匯光電有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/14
• 代理公司: 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙) 51211
• 代理人: 冉鵬程

1.一種硅基GaN外延生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括硅襯底（7）、緩沖層（6）、第一N型GaN層（5）、第二N型GaN層（4）、多量子阱層（3）、第一P型GaN層（2）和第二P型GaN層（1），所述緩沖層（6）覆蓋在硅襯底（7）上，第一N型GaN層（5）覆蓋在緩沖層（6）上，第二N型GaN層（4）覆蓋在第一N型GaN層（5）上，多量子阱層（3）覆蓋在第二N型GaN層（4）上，第一P型GaN層（2）覆蓋在多量子阱層（3）上，第二P型GaN層（1）覆蓋在第一P型GaN層（2）上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基GaN外延生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述緩沖層（6）為二氧化硅緩沖層，二氧化硅緩沖層的單晶晶格處于硅單晶與GaN晶格之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種硅基GaN外延生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述緩沖層（6）的厚度為30nm-50nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基GaN外延生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一N型GaN層（5）的厚度為90nm-110nm，第一N型GaN層（5）是摻雜硅的濃度為5×10²⁰/cm³的N型GaN層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基GaN外延生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二N型GaN層（4）的厚度為1.0μm?-1.5μm，第二N型GaN層（4）是摻雜硅的濃度為5×10²²/cm³的N型GaN層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基GaN外延生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述多量子阱層（3）的厚度為5nm-50nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基GaN外延生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一P型GaN層（2）的厚度為10nm-50nm，第一P型GaN層（2）是摻雜鎂的濃度為5×10²⁰/cm³的P型GaN層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基GaN外延生長結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二P型GaN層（1）的厚度為10nm-150nm，第二P型GaN層（1）是摻雜鎂的濃度為5×10²²/cm³的P型GaN層。